垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな書き込み電流I_cと十分な熱擾乱指数ΔE_aを両立させることが必要である。垂直磁化方式を用いたスピン注入型MRAMは、従来の面内磁化方式と比べて、微細化しても大きなΔE_aと小さなI_cを実現することが可能な技術である。本研究では、垂直磁化MRAMのスピン注入反転電流の素子直径依存性を、マイクロマグネティックスシミュレーションにより計算し、素子サイズが小さくなるとともに、スピン注入反転の効率I_c/ΔE_aが小さくなることを明らかにした。この結果は、垂直磁化を用いたスピン注入式MRAMが本質的に良好なスケーラビリティを持つことを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-04
著者
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
中山 昌彦
(株)東芝研究開発センター
-
岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
相川 尚徳
(株)東芝研究開発センター
-
小瀬木 淳一
(株)東芝研究開発センター
-
西山 勝哉
(株)東芝研究開発センター
-
永瀬 俊彦
(株)東芝研究開発センター
-
岸 達也
(株)東芝研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
-
天野 実
東芝
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
永瀬 俊彦
(株)東芝 研究開発センター
-
甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
関連論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- 次世代不揮発性磁気メモリ(MRAM)の最近動向 (特集 次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料)
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAsMMIC
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- C-2-10 76GHz帯MMICゲートミクサ
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 大容量MRAMの展望
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子
- 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
- スピン走査トンネル顕微鏡によるナノメートルスケール磁化状態評価
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- BCB薄膜誘電体層を持つ60GHz帯MMIC増幅器 (特集 先端半導体デバイス技術)
- 垂直磁化方式スピン注入書き込みMRAM
- 高集積MRAMに向けた、良好なスケーラビリティーをもつ重直磁化方式MTJの開発
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- 大容量MRAMへの書込み特性の向上
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- MRAM : 開発の最前線
- スピンバルブGMRにおけるESD耐性のリード構造依存性
- 熱アシスト磁気記録用交換結合二層媒体
- 熱アシスト磁気記録用交換結合二層媒体(ハードディスクドライブ及び一般)
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体(光記録及び一般)
- FePt薄膜の残留酸素が規則化温度に及ぼす影響(磁性薄膜,磁気記録一般)
- Fet薄膜の残留酸素が規則化温度に及ぼす影響
- ナノスケールの磁化分析を可能にするスピン走査トンネル顕微鏡 (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
- 27pYB-4 Co薄膜のスピン偏極電子状態
- Co(0001)表面-強磁性探針間の真空スピントンネル
- Co表面に対するスピンSTMの理論的解析
- ダブルバイアス法によるスピン偏極STM
- 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
- 二重強磁性トンネル接合における電気伝導とTMR
- 28p-J-13 二重強磁性トンネル接合における磁気抵抗
- 二重強磁性トンネル接合における電気伝導
- GaAs探針からのスピン偏極トンネルの観察と円偏光応答像
- 1p-W-4 強磁性トンネル接合における磁気抵抗比の特性
- 強磁性トンネル接合における磁気抵抗
- 7a-YG-3 強磁性トンネル接合の理論 : 磁気抵抗のバイアス特性
- 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- 29a-WB-1 強磁性トンネル接合における伝導特性
- Transfer matrix法による強磁性トンネル接合の解析
- 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率
- MRAM(Magnetic Random Access Memory) (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
- MRAM最新技術動向 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般)
- FePtCu規則合金の磁気特性の組成依存性
- Cu添加によるFePt規則合金の規則化温度低減 : 合金薄膜
- Cu添加によるFePtの規則化温度低減
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯GaAs MMIC
- 60GHz帯MMICドレインミクサ
- 新バイアス構造によるサブミクロン対応GMRヘッド
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- BCB薄膜誘電体層を持つV帯MMIC増幅器
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- スピントロニクスデバイス、MRAMの課題(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- 12a-D-4 HoMo_6S_8薄膜の磁気的性質
- リードオーバーレイト構造による耐ESD性の向上
- 高飽和磁化FeCo合金軟磁性薄膜の磁気特性
- 酸化物超伝導薄膜の積層構造制御
- MRAM多層化における各種検出方法のMTJ抵抗の重み付け係数の最適化〔集積エレクトロニクス〕
- MRAM多層化におけるMTJ抵抗の重み付け係数の最適化
- MRAM : 不揮発性RAMの実現に向けて
- [特別招待講演]MRAMへの期待と課題 : MRAM集積化に向けて(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 磁極分離構造記録ヘッドの狭トラック加工性と記録特性
- 強磁性トンネル接合における磁気抵抗:バイアス電圧依存性および障壁高さ依存性
- CoFeスピンバルプを用いたGMR記録再生一体ヘッド
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体(光記録及び一般)
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路
- C-12-6 MRAMを用いた次世代ノーマリーオフプロセッサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望 : 『不揮発ロジックのジレンマ』を如何に解決するか?(集積回路とアーキテクチャの協創〜ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦〜)
- ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望 : 『不揮発ロジックのジレンマ』を如何に解決するか?
- スピン注入書き込みMRAM技術の進展と、そのノーマリオフコンピューティング実現に対する効果(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- 9pXC-11 CeX(X=S,Se,Te)の角度分解光電子分光(重い電子系(超伝導,その他),領域8)
- 高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する垂直磁化STT-MRAMメモリテクノロジ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討(固体メモリ・媒体,一般)
- 6aPS-6 CeX(X=S,Se,Te)の磁性(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)