高耐熱 Ni_xFe_<1-x>/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
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概要
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- 2004-09-21
著者
-
永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
波田 博光
NECシリコンシステム研究所
-
波田 博光
日本電気(株)
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
-
與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
-
天野 実
東芝研究開発センター
-
末光 克巳
日本電気(株)
-
沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
大嶋 則和
Necデバプラ研
-
大嶋 則和
Nec
-
福本 能之
NEC
-
沼田 秀昭
NEC
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
與田 博明
(株)東芝
-
與田 博明
東芝
-
永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
福本 能之
Necシステムデバイス研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
田原 修一
Nec システムデバイス研
-
天野 実
東芝
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
永原 聖万
Nec
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