0.1μmMRAMセルの開発
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概要
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大規模磁気抵抗メモリ(MRAM:Magnetic Random Access Memory)の微細化可能性を検討するため、磁性膜の酸化による特性劣化を防ぐ事ができる2層ハードマスクプロセスを用いて、0.1μmルール磁気トンネル抵抗素子(TMR:Tummel Magnetorcsistance)を作製し、その特性を評価した。0.1μm×0.6μmサイズのMRAMセル(TMR素子)で36%の抵抗変化比が得られ、配線電流により誘起した磁場による書き込み・読み出し特性を確認した。微細化に伴うTMR素子のスイッチング電流の増加は、TMR形状のアスペクト比低減およびフリー層膜厚の薄膜化によって抑えることができることを示した。さらに、フリー層膜厚3nm、素子寸法を0.1μm×0.14μmにしたTMR素子でスイッチング電流を3mAまで減少させることができることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-05
著者
-
永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
菊田 邦子
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
末光 克巳
日本電気(株)
-
辻 清孝
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
向井 智徳
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
辻 清孝
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
末光 克巳
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
向井 智徳
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
永原 聖万
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
増渕 浩一
日本電気株式会社R&Dサポートセンター
-
内海 浩昭
日本電気株式会社R&Dサポートセンター
-
永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
増渕 浩一
日本電気株式会社r&dサポートセンター
-
菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
-
内海 浩昭
日本電気株式会社r&dサポートセンター
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