648x487画素ショットキ型赤外CCDイメージセンサ
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概要
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A 648x487 pixel PtSi Schottky-barrier infrared CCD image sensor was developed. Due to developing the Modified Inverted-LOCOS Process which can minimize dead region in pixel, and Two Dopant Concentration Structure which achieves both large charge handling capability and high transfer efficiency, a 40% fill factor of 21x21 μm size pixel and 12MHz CCD driving were obtained. Noise equivalent temperature difference (N.E.T.D.) was 0.1 Kelvin.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-02-28
著者
-
寺西 信一
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
-
増渕 浩一
日本電気株式会社R&Dサポートセンター
-
斎藤 徹
日本アビオニクス
-
寺西 信一
日本電気株式会社
-
遠山 茂
Necマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
小沼 和夫
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
遠山 茂
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
田辺 顕人
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
村松 俊夫
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
小沼 和夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
村松 俊夫
NEC
-
寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
田辺 顕人
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
増渕 浩一
日本電気株式会社r&dサポートセンター
-
寺西 信一
松下電子工業
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