CCDイメージセンサにおけるフォトダイオード特性向上技術 : 感度改善、VODシャッター電圧低減
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概要
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New technologies to improve a photo-sensitivity and to reduce a shutter-voltage of the vertical over-flow-drain (VOD) have been developed for CCD image sensors. A 40% photo-sensitivity improvement was obtained by forming an anti-reflection film over the photodiode, in addition to reducing the thickness of player formed at the photodiode surface. A VOD shutter-voltage reduction from 31 V to 18 V was successfully obtained by using an epitaxially-grown substrate with double impurity concentration layers.
- 1999-03-26
著者
-
村上 一郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
新井 浩一
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
中野 隆
Nec シリコンシステム研究所
-
冨留宮 正之
日本電気株式会社
-
永田 豪
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
畑野 啓介
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
-
寺西 信一
NECシリコンシステム研究所
-
武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
武藤 信彦
パナソニック株式会社 セミコンダクター社
-
畑野 啓介
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
冨留宮 正之
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
中柴 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
打矢 聡
NECシステムマイクロ事業部
-
内海 浩昭
NECシリコンシステム研究所
-
穂苅 泰明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
寺西 信一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
村上 一朗
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
中柴 康隆
Nec 先端デバイス開発本部
-
寺西 信一
松下電子工業
-
武藤 信彦
松下電子工業
-
内海 浩昭
Nec シリコンシステム研究所
-
新井 浩一
Nec シリコンシステム研究所
-
永田 豪
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
打矢 聡
NEC システムマイクロ事業部
-
武藤 信彦
NEC シリコンシステム研究所
-
河野 明啓
NEC システムマイクロ事業部
-
寺西 信一
NEC シリコンシステム研究所
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