村上 一郎 | Nec Ulsiデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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村上 一郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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畑野 啓介
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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冨留宮 正之
日本電気株式会社
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武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
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武藤 信彦
パナソニック株式会社 セミコンダクター社
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穂苅 泰明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
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寺西 信一
松下電子工業
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武藤 信彦
松下電子工業
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織原 弘三
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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森本 倫弘
NECシステムマイクロ事業部
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新井 浩一
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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寺西 信一
NECシリコンシステム研究所
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諏訪園 忍
NECシステムマイクロ事業部
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寺西 信一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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小川 智弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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畑野 啓介
NEC ULSIデバイス開発研究所
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川上 幸也
Nec シリコンシステム研究所
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中野 隆
Nec シリコンシステム研究所
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河合 真一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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冨留宮 正之
NEC ULSIデバイス開発研究所
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内海 浩昭
NECシリコンシステム研究所
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寺西 信一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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森本 倫弘
NECULSIデバイス開発研究所
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武藤 信彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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新井 浩一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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織原 弘三
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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新井 浩一
Nec シリコンシステム研究所
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武藤 信彦
NEC シリコンシステム研究所
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河野 明啓
NEC システムマイクロ事業部
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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武藤 信彦
Necシリコンシステム研究所
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中柴 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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織原 弘三
NECシリコンシステム研究所
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諏訪 園忍
NEC
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佐藤 高
マイクロエレクトロニクス研究所
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内海 浩昭
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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南 数馬
日本電気株式会社
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Nec
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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中柴 康隆
Nec 先端デバイス開発本部
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Nec シリコンシステム研究所
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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加藤 聰
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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川上 幸也
NECシリコンシステム研究所
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河合 真一
NECシリコンシステム研究所
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諏訪園 忍
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 映一
システムマイクロ事業部
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織原 弘三
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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村上 一朗
NEC
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田邊 顕人
NEC
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竹内 映一
日本電気株式会社
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冨留宮 正之
NECULSIデバイス開発研究所
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畑野 啓介
NECULSIデバイス開発研究所
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穂苅 泰明
NECULSIデバイス開発研究所
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川上 幸也
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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村上 一朗
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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加藤 聡
Nec
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冨留宮 正之
Nec
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NECシリコンシステム研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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寺西 信一
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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永田 豪
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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冨留宮 正之
ULSIデバイス開発研究所
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畑野 啓介
ULSIデバイス開発研究所
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武藤 信彦
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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打矢 聡
NECシステムマイクロ事業部
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加藤 聰
NECシリコンシステム研究所
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村上 一朗
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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佐藤 高
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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NEC
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村上 一朗
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日本電気株式会社
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NECシステムマイクロ事業部
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山田 徹
Nec シリコンシステム研究所
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内海 浩昭
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田辺 顕人
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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田邊 顕人
日本電気株式会社
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永田 豪
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打矢 聡
NEC システムマイクロ事業部
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寺西 信一
NEC シリコンシステム研究所
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小川 智弘
NECULSIデバイス開発研究所
著作論文
- 2-10 分光特性に基づくCCDイメージセンサにおけるスミアの解析
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子
- CCDイメージセンサにおけるフォトダイオード特性向上技術 : 感度改善、VODシャッター電圧低減
- 高フレームレート撮像が可能な1/3インチ130万画素単層電極CCDの開発
- 高フレームレート撮像が可能な1/3インチ130万画素単層電極CCDの開発 (半導体デバイス特集) -- (メディア関連デバイス)
- 単層電極構造1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンCCDの開発
- 1/2インチ130万画素単相電極CCDの開発 (半導体デバイス特集) -- (メディア関連デバイス)
- 新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD