新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD

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概要

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• A new photodiode structure has been developed to reduce smear and to increase photo-sensitivity in CCD image sensors. The new structure features a wide, low-concentration N^- layer formed below the conventional photodiode N layer. The new photodiode was designed by using a new parameter deduced from simulated potential-profiles to help optimize the N^- layer conditions. The new structure was applied to a 2/3-inch 2M pixel interline-transfer CCD (IT-CCD) image sensor, and it has achieved a low smear (-85dB) as well as high sensitivity (35 nA/lx).

• 1995-03-17

著者

• 小川 智弘

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 村上 一郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 新井 浩一

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 冨留宮 正之

  日本電気株式会社

• 畑野 啓介

  日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部

• 寺西 信一

  NECシリコンシステム研究所

• 武藤 信彦

  松下電子工業株式会社ccd事業部

• 武藤 信彦

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社

• 織原 弘三

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 森本 倫弘

  NECシステムマイクロ事業部

• 諏訪園 忍

  NECシステムマイクロ事業部

• 内海 浩昭

  NECシリコンシステム研究所

• 穂苅 泰明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 寺西 信一

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 諏訪園 忍

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 織原 弘三

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 寺西 信一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 冨留宮 正之

  NECULSIデバイス開発研究所

• 森本 倫弘

  NECULSIデバイス開発研究所

• 畑野 啓介

  NECULSIデバイス開発研究所

• 穂苅 泰明

  NECULSIデバイス開発研究所

• 川上 幸也

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 村上 一朗

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 武藤 信彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 武藤 信彦

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 川上 幸也

  Nec シリコンシステム研究所

• 内海 浩昭

  NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部

• 寺西 信一

  松下電子工業株式会社ccd事業部

• 寺西 信一

  松下電子工業

• 武藤 信彦

  松下電子工業

• 小川 智弘

  NECULSIデバイス開発研究所

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