畑野 啓介 | 日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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概要
関連著者
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畑野 啓介
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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冨留宮 正之
日本電気株式会社
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織原 弘三
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
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武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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松下電子工業株式会社ccd事業部
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寺西 信一
松下電子工業
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NECシステムマイクロ事業部
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松下電子工業
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パナソニック株式会社 セミコンダクター社
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Nec 先端デバイス開発本部
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NECシリコンシステム研究所
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畑野 啓介
NEC ULSIデバイス開発研究所
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日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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Necマイクロエレクトロニクス研究所
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中野 隆
Nec シリコンシステム研究所
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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Nec シリコンシステム研究所
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冨留宮 正之
NEC ULSIデバイス開発研究所
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寺西 信一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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小川 智弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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NECシリコンシステム研究所
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織原 弘三
NECシリコンシステム研究所
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織原 弘三
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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森本 倫弘
NECULSIデバイス開発研究所
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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永田 豪
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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武藤 信彦
Necシリコンシステム研究所
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中柴 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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武藤 信彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社
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Nec
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武藤 信彦
NEC シリコンシステム研究所
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河野 明啓
NEC システムマイクロ事業部
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岡本 冬樹
日本電気株式会社
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藤本 裕希
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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中柴 康隆
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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四柳 道夫
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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畑野 啓介
ULSIデバイス開発研究所
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四柳 道夫
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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NECシリコンシステム研究所
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諏訪 園忍
NEC
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新井 浩一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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寺西 信一
Nec
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新井 浩一
Nec シリコンシステム研究所
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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冨留宮 正之
ULSIデバイス開発研究所
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中柴 康隆
ULSIデバイス開発研究所
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生子 大介
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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武藤 信彦
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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打矢 聡
NECシステムマイクロ事業部
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川上 幸也
NECシリコンシステム研究所
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加藤 聰
NECシリコンシステム研究所
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佐藤 高
マイクロエレクトロニクス研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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システムマイクロ事業部
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織原 弘三
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社
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NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 映一
日本電気株式会社
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日本電気株式会社
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Nec シリコンシステム研究所
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Nec
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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内海 浩昭
Nec シリコンシステム研究所
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NECELプロセス技術事業部
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日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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永田 豪
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田辺 顕人
NECシリコンシステム研究所
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生子 大介
NECシリコンシステム研究所
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ULSIデバイス開発研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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NEC
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日本電気株式会社
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日本電気株式会社
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NEC
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NEC
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日本電気株式会社
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穂苅 泰明
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川上 幸也
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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村上 一朗
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NECシリコンシステム研究所
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大保 雅浩
NEC
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九州大学薬学部
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NECメディア情報研究所
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千葉 一浩
NECシリコンシステム研究所
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日本電気株式会社
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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山田 徹
NECシリコンシステム研究所
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中野 隆
NECシリコンシステム研究所
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二村 文章
NEC
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村上 一朗
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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佐藤 高
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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小川 智弘
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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畑野 啓介
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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森本 倫弘
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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武藤 信彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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織原 弘三
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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谷治 行夫
システムマイクロ事業部
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生子 大介
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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加藤 聰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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川村 智浩
システムマイクロ事業部
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河野 明啓
NEC
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佐藤 高
NEC
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冨留 宮正之
NEC
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佐藤 高
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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村上 一朗
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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小川 智弘
ULSIデバイス開発研究所
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河合 真一
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NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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田中 敬訓
NEC
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浦山 洋治
NEC
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竹内 映一
NEC
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村上 一郎
日本電気株式会社
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諏訪園 忍
日本電気株式会社
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浦山 洋治
日本電気株式会社
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南 数馬
NECULSIデバイス開発研究所
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中野 隆
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
河野 明啓
NECシステムマイクロ事業部
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秋山 郁男
日電
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千葉 一浩
日本電気株式会社
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西村 美代
日本電気株式会社
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秋山 郁男
日本電気株式会社
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田村 貴央
NEC Corporation
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織原 弘三
日本電気(株)
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内海 浩昭
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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田邊 顕人
日本電気株式会社
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秋山 郁男
日本電気(株)映像開発本部
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永田 豪
NEC ULSIデバイス開発研究所
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寺西 信一
NEC シリコンシステム研究所
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小川 智弘
NECULSIデバイス開発研究所
著作論文
- 動体検出機能搭載CMOSイメージャLSIの開発(低電力LSI論文小特集)
- 動体検出機能搭載CMOSイメージャの開発
- C-12-40 動体検出機能を搭載したCMOSイメージャの開発
- 1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ
- 6)1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2-10 分光特性に基づくCCDイメージセンサにおけるスミアの解析
- 1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子
- 2)HDTV用FIT-CCDにおける新裏打構造の検討(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- HDTV用FIT-CCDにおける新裏打構造の検討 : 固体撮像関連 : 情報入力 : コンシューマエレクトロニクス
- HDTV用200万画素FIT-OODイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 動体検出機能搭載CMOSイメージャの開発
- 5)1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- CCDイメージセンサにおけるフォトダイオード特性向上技術 : 感度改善、VODシャッター電圧低減
- 高フレームレート撮像が可能な1/3インチ130万画素単層電極CCDの開発
- 高フレームレート撮像が可能な1/3インチ130万画素単層電極CCDの開発 (半導体デバイス特集) -- (メディア関連デバイス)
- 単層電極構造1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンCCDの開発
- 1/2インチ130万画素単相電極CCDの開発 (半導体デバイス特集) -- (メディア関連デバイス)
- 新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD