寺西 信一 | 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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寺西 信一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
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寺西 信一
NECシリコンシステム研究所
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武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
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武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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武藤 信彦
パナソニック株式会社 セミコンダクター社
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織原 弘三
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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内海 浩昭
NECシリコンシステム研究所
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寺西 信一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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森本 倫弘
NECシステムマイクロ事業部
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穂苅 泰明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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畑野 啓介
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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諏訪園 忍
NECシステムマイクロ事業部
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冨留宮 正之
日本電気株式会社
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川上 幸也
Nec シリコンシステム研究所
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村上 一郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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新井 浩一
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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中野 隆
Nec シリコンシステム研究所
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河合 真一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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寺西 信一
Nec
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加藤 聰
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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畑野 啓介
NEC ULSIデバイス開発研究所
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織原 弘三
NECシリコンシステム研究所
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織原 弘三
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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加藤 聡
Nec
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小川 智弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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生子 大介
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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冨留宮 正之
NEC ULSIデバイス開発研究所
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諏訪 園忍
NEC
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武藤 信彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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森本 倫弘
NECULSIデバイス開発研究所
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遠山 茂
Necマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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小沼 和夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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武藤 信彦
Necシリコンシステム研究所
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川上 幸也
NECシリコンシステム研究所
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河合 真一
NECシリコンシステム研究所
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佐藤 高
マイクロエレクトロニクス研究所
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武藤 信彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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内海 浩昭
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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新井 浩一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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増渕 浩一
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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東 博美
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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田辺 顕人
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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遠藤 勉
Necシリコンシステム研究所
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田中 敬訓
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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中柴 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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加藤 聰
NECシリコンシステム研究所
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谷治 行夫
NECシステムマイクロ事業部
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森本 倫弘
ULSIデバイス開発研究所
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穂苅 泰明
ULSIデバイス開発研究所
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寺西 信一
日本電気株式会社
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浅野 義堂
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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内海 浩昭
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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冨留宮 正之
Nec
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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寺西 信一
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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冨留宮 正之
ULSIデバイス開発研究所
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畑野 啓介
ULSIデバイス開発研究所
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中柴 康隆
ULSIデバイス開発研究所
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打矢 聡
NECシステムマイクロ事業部
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田辺 顕人
NECシリコンシステム研究所
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生子 大介
NECシリコンシステム研究所
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森本 倫弘
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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谷治 行夫
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諏訪園 忍
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 映一
システムマイクロ事業部
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織原 弘三
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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NEC
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日本電気株式会社
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竹内 映一
日本電気株式会社
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社
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Nec
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織田 英嗣
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス(研)
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山田 徹
Nec シリコンシステム研究所
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NEC
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遠藤 勉
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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NEC
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NEC
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NEC
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NEC
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NEC
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NEC
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寺西 信一
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旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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九州大学薬学部
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静岡大学電子工学研究所
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日本電気株式会社
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NHK放送技術局
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松長 誠之
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金子 節夫
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鈴木 克彦
浜松ホトニクス(株)
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ソニー株式会社厚木テクノロジーセンター半導体事業本部CCD事業部門CCD事業部
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辻 和隆
(株)日立製作所 日立研究所
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辻 和隆
日立
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小田 直樹
日本電気(株)誘導光電事業部
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河村 達郎
日立
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山田 徹
日本電気(株)マルチメディア研究所
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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物井 誠
株式会社東芝セミコンダクター杜
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武藤 信彦
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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田邊 顕人
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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山田 徹
NECシリコンシステム研究所
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中野 隆
NECシリコンシステム研究所
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二村 文章
NEC
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村上 一朗
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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佐藤 高
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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小川 智弘
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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畑野 啓介
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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織原 弘三
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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諏訪園 忍
マイクロエレクトロニクス研究所
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川上 幸也
マイクロエレクトロニクス研究所
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中野 隆
マイクロエレクトロニクス研究所
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加藤 聰
マイクロエレクトロニクス研究所
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生子 大介
マイクロエレクトロニクス研究所
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内海 浩昭
マイクロエレクトロニクス研究所
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武藤 信彦
マイクロエレクトロニクス研究所
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織原 弘三
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寺西 信一
マイクロエレクトロニクス研究所
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河合 真一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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生子 大介
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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加藤 聰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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川村 智浩
システムマイクロ事業部
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河野 明啓
NEC
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織田 英嗣
NEC
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佐藤 高
NEC
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冨留 宮正之
NEC
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佐藤 高
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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村上 一朗
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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諏訪 園忍
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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小川 智弘
ULSIデバイス開発研究所
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河合 真一
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ULSIデバイス開発研究所
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寺西 信一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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南 数馬
NEC
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田邊 顕人
NEC
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田中 敬訓
NEC
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浦山 洋治
NEC
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竹内 映一
NEC
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南 数馬
日本電気株式会社
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冨留宮 正之
NECULSIデバイス開発研究所
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畑野 啓介
NECULSIデバイス開発研究所
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穂苅 泰明
NECULSIデバイス開発研究所
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川上 幸也
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中野 隆
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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村上 一朗
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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秋山 郁男
日電
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織田 英嗣
日本電機(株)
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河野 明啓
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
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米本 和也
ソニー株式会社mnc Di部門
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米本 和也
ソニー株式会社pnc.pvc
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辻 和隆
株式会社日立製作所中央研究所
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田村 貴央
NEC Corporation
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菰淵 寛仁
松下電器産業(株) 中央研究所
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寺西 信一
日本電気
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織原 弘三
日本電気(株)
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金子 節夫
日本電気(株)機能エレクトロニクス研究所
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坂本 幹雄
日電
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坂本 幹雄
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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田中 敬訓
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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奥村 和明
浜松ホトニクス
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奥村 和明
浜松ホトニクス株式会社電子管第2事業部
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船越 裕正
松下電器
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船越 裕正
松下電器産業(株) AVC商品開発研究所
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土川 稔
日本電気(株)
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西村 美代
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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船越 裕正
松下電器産業
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船越 裕正
松下電器産業株式会社avc社
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戸井 崇雄
日本電気株式会社システムipコア研究所
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村上 一朗
NEC ULSIデバイス開発研究所
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浦山 洋治
NECシリコンシステム研究所
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石原 保雄
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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松本 尚平
日本電気(株) 誘導光電事業部
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西村 龍志
株式会社日立製作所デジタルメディア開発本部
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中野 隆
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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菰渕 寛仁
松下電器産業株式会社中央研究所
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秋山 郁男
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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増渕 浩一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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石原 保雄
日本電気(株)第一LSI事業部
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松長 誠之
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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山片 茂樹
日本電気(株)誘導光電事業部
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遠山 茂
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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小沼 和夫
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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東 博美
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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田辺 顕人
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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内海 浩昭
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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高野 英二
日本電気(株)誘導光電事業部
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佐原 宏和
日本電気(株)誘導光電事業部
-
村松 俊夫
日本電気(株)誘導光電事業部
-
関 孝彦
日本電気航空宇宙システム(株)
-
小野 武
日本電気航空宇宙システム(株)
著作論文
- 9-3 CCDのVOD対数特性を活用した広ダイナミックレンジカメラの開発
- 1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ
- 8)2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 6)1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2-10 分光特性に基づくCCDイメージセンサにおけるスミアの解析
- 2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ
- 1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- CCD駆動アモルファスSi密着型イメージセンサ : 基本デバイスとその特性 : 方式・回路 : 電子装置
- 低雑音CCD電荷検出器 : 情報入力コンシューマエレクトロニクス
- 2波長赤外線イメージセンサによる遠隔真温度測定(固体撮像とその関連技術)
- 4)真温度分布撮像のための2波長赤外イメージセンサの開発(情報入力研究会)
- 真温度分布撮像のための2波長赤外イメージセンサの開発
- 1-1 情報センシング(1.画像エレクトロニクス)(映像情報メディア年報)
- CCDイメージセンサにおけるフォトダイオード特性向上技術 : 感度改善、VODシャッター電圧低減
- 非冷却型赤外線センサ
- 5-11 CCDイメージセンサにおける水平駆動電圧低減の検討
- 29-5 CCD出力アンプのS/N向上に関する検討
- 3)新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ(情報入力研究会)
- 3.情報入力(テレビジョン年報)
- 新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ : 情報入力
- 3-14 縦形オーバフロー構造CCDイメージセンサのブルーミング抑制機構
- CCDとそのイメ-ジセンサへの応用 (情報を担う静電荷)
- 23-4 表面チャネルCCDにおける転送時間
- 3-11 インターラインCCDイメージセンサの雑音特性
- IEDM報告 : イメージセンサの開発動向
- 新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD
- 3-4 インターラインCCDイメージセンサにおけるスミアの低減
- 3-3 CCD出力部のリセットノイズ