真温度分布撮像のための2波長赤外イメージセンサの開発
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概要
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An infrared-bi-color image sensor was developed with a barrier height controlled Schottky-barrier photo diode array for precise temperature images. Low and high barrier height diode pixels are arranged vertically next to one another using a selective area ion implantation technique. The infrared-bi-color image sensor can obtain the temperature image precisely without the emissivity assumption.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-02-24
著者
-
遠藤 勉
Necシリコンシステム研究所
-
寺西 信一
NECシリコンシステム研究所
-
内海 浩昭
NECシリコンシステム研究所
-
寺西 信一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
寺西 信一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
遠山 茂
Necマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
小沼 和夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
浅野 義堂
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
増渕 浩一
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
内海 浩昭
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
遠藤 勉
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
東 博美
NECマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部
-
寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
増渕 浩一
日本電気株式会社r&dサポートセンター
-
寺西 信一
松下電子工業
-
東 博美
Necマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部:(現)nec企画室
-
東 博美
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
浅野 義堂
Necマイクロエレクトロニクス研究所センサ研究部:(現)日本アビオニクス
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