IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We have determined the practical limits of cell size reduction in interline-transfer CCD image sensors, limits resulting from diffraction occurring at the aperture above the photodiode. We have found that image cell size cannot be reduced to a level for which aperture width would fall below about 0.2 μm. We have also found, however, that image cells with greater than 0.2 μm aperture size are sensitive over the entire wavelength range of visible light, and that sensitivity can be increased by thinning the photoshield film.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-03-19
著者
-
田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
-
小川 智弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
村上 一郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
新井 浩一
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
冨留宮 正之
日本電気株式会社
-
畑野 啓介
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
-
冨留宮 正之
ULSIデバイス開発研究所
-
畑野 啓介
ULSIデバイス開発研究所
-
寺西 信一
NECシリコンシステム研究所
-
武藤 信彦
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
武藤 信彦
パナソニック株式会社 セミコンダクター社
-
河合 真一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
織原 弘三
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
森本 倫弘
NECシステムマイクロ事業部
-
諏訪園 忍
NECシステムマイクロ事業部
-
内海 浩昭
NECシリコンシステム研究所
-
穂苅 泰明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
寺西 信一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
森本 倫弘
ULSIデバイス開発研究所
-
佐藤 高
マイクロエレクトロニクス研究所
-
穂苅 泰明
ULSIデバイス開発研究所
-
佐藤 高
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
武藤 信彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
村上 一朗
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
諏訪 園忍
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
小川 智弘
ULSIデバイス開発研究所
-
内海 浩昭
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
河合 真一
ULSIデバイス開発研究所
-
新井 浩一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
織原 弘三
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
田村 貴央
ULSIデバイス開発研究所
-
寺西 信一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
武藤 信彦
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
寺西 信一
松下電子工業株式会社ccd事業部
-
寺西 信一
松下電子工業
-
武藤 信彦
松下電子工業
関連論文
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 5.次世代画像入力(5.次世代画像入力)(映像情報メディア年報)
- 5.次世代画像入力(映像情報メディア年報)
- C-12-28 高Q値オンチップインダクタ設計のための検討
- 動体検出機能搭載CMOSイメージャLSIの開発(低電力LSI論文小特集)
- 動体検出機能搭載CMOSイメージャの開発
- C-12-40 動体検出機能を搭載したCMOSイメージャの開発
- 非冷却型赤外線センサの低ノイズオンチップ読み出し回路
- 情報センシング
- 9-3 CCDのVOD対数特性を活用した広ダイナミックレンジカメラの開発
- 1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ
- 8)2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 6)1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2-10 分光特性に基づくCCDイメージセンサにおけるスミアの解析
- 2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ
- 1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ
- 9)2/3インチ76万画素CCDイメージセンサ(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 2/3インチ76万画素CCDイメージセンサ
- IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子
- 2)HDTV用FIT-CCDにおける新裏打構造の検討(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- HDTV用FIT-CCDにおける新裏打構造の検討 : 固体撮像関連 : 情報入力 : コンシューマエレクトロニクス
- 7)HDTV用200万画素FIT-CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- HDTV用200万画素FIT-OODイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 3-10 ハイビジョンCCD単板カラーカメラ
- 3-6 タングステン遮光膜構造によるCCDのスミア低減
- 動体検出機能搭載CMOSイメージャの開発
- 1)CCD駆動アモルファスSi密着型イメージセンサ : 基本デバイスとその特性(〔テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- CCD駆動アモルファスSi密着型イメージセンサ : 基本デバイスとその特性 : 方式・回路 : 電子装置
- イメージセンサの技術動向 : 2007 International Image Sensor Workshop (IISW)報告を中心に(イメージセンサ技術の最新動向)
- Image Sensors and Signal Processing for Digital Still Cameras, Edited by Junichi Nakamura, CRC Press Taylor & Francis Group刊, 2005年8月5日発行, 234×155×23mm, 336頁, 定価($169.95)
- 3)648×487画素ショットキー型赤外CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 648x487画素ショットキ型赤外CCDイメージセンサ
- 5)1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- 2/3インチ130万画素CCDの開発 (半導体デバイス特集) -- (メディア関連デバイス)
- 23-1 CCDイメージセンサにおけるVODのknee特性の解析
- 4)低雑音CCD電荷検出器(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 低雑音CCD電荷検出器 : 情報入力コンシューマエレクトロニクス
- 2-8 環状接合ゲート型低雑音CCD電荷検出器
- 2波長赤外線イメージセンサによる遠隔真温度測定(固体撮像とその関連技術)
- 4)真温度分布撮像のための2波長赤外イメージセンサの開発(情報入力研究会)
- 真温度分布撮像のための2波長赤外イメージセンサの開発
- (第40回)座談会:固体イメージセンサ開発の熱気と学会活動(てれび・さろん〜時代を創った技術〜)
- (第39回)固体イメージセンサ開発の熱気と学会活動(座談会,てれび・さろん〜時代を創った技術〜)
- 撮像技術の動向 : 2005 IEEE Workshop on CCD & AIS報告(撮像技術の最新動向)
- CCDイメージセンサの現状と課題(高機能化・高性能化が進む撮像デバイス)
- 1-1 情報センシング(1.画像エレクトロニクス)(映像情報メディア年報)
- CCDイメージセンサにおけるフォトダイオード特性向上技術 : 感度改善、VODシャッター電圧低減
- EB直描を用いた先端デバイスの試作
- 高フレームレート撮像が可能な1/3インチ130万画素単層電極CCDの開発
- 高フレームレート撮像が可能な1/3インチ130万画素単層電極CCDの開発 (半導体デバイス特集) -- (メディア関連デバイス)
- 単層電極構造1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンCCDの開発
- 1/2インチ130万画素単相電極CCDの開発 (半導体デバイス特集) -- (メディア関連デバイス)
- 非冷却型赤外線センサ
- 5-11 CCDイメージセンサにおける水平駆動電圧低減の検討
- 29-5 CCD出力アンプのS/N向上に関する検討
- 3)新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ(情報入力研究会)
- 3.情報入力(テレビジョン年報)
- 3-14 超高解像度CCDイメージセンサ
- 7)1/2インチ768×492素子CCDイメージセンサ([テレビジョン方式・回路研究会(第109回)テレビジョン電子装置研究会(第140回)]合同)
- 1/2インチ768×492素子CCDイメージセンサ
- 縦形オーバフロー構造インターラインCCDイメージセンサ
- 3-7 p^+np^-構造フォトダイオードを用いたIL-CCDセンサの残像特性
- 4)高性能インターライン転送方式CCDイメージセンサ(テレビジョン電子装置研究会(第86回))
- 高性能インターライン転送方式CCDイメージセンサ
- 1.情報入力(テレビジョン年報)
- 新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ : 情報入力
- 4)標準テレビジョン方式ショットキバリア型赤外線イメージセンサ(テレビジョン電子装置研究会)
- 標準テレビジョン方式ショットキバリア型赤外線イメージセンサ : 電子装置
- 3-14 縦形オーバフロー構造CCDイメージセンサのブルーミング抑制機構
- 1-1情報センシング(映像情報メディア年報)
- 23-3 裏打ち配線を有するFIT-CCDにおける垂直駆動パルスなまりと転送電荷量の関係
- 23-2 FIT-CCDにおける垂直CCD転送方式の改善
- 多目的な2/3インチ130万画素CCDの開発 (特集 イメ-ジセンサの新潮流とCCDカメラ)
- アナログ演算により各種画像処理を実現したCMOSイメージセンサ
- 高感度、低クロストークのCMOSイメージセンサ画素技術
- CCDとそのイメ-ジセンサへの応用 (情報を担う静電荷)
- 2チャネル読み出しCCDイメージセンサにおける固定パターンノイズ解析
- 23-4 表面チャネルCCDにおける転送時間
- 7)疑似フィールド蓄積CCDカラーカメラ([テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会]合同)
- 疑似フィールド蓄積CCDカラーカメラ
- 3-11 インターラインCCDイメージセンサの雑音特性
- 3)ショットキーバリア型赤外線CCDイメージセンサ(情報入力研究会)
- ショットキバリア型赤外線CCDイメージセンサ
- IEDM報告 : イメージセンサの開発動向
- 新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD
- 3-3 CCDイメージセンサのオンチップアンプノイズ解析
- 3-4 インターラインCCDイメージセンサにおけるスミアの低減
- 3-3 CCD出力部のリセットノイズ
- 1-1. 情報センシング(1. 画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報〜2008年4月から2010年3月の進展〜)