極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

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概要

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• 65nm-node以降のULSL多層配線技術として、多孔質層間絶縁膜(ポーラス膜)のポア径をサブ1nm以下に制御するとともに、ポーラスな側壁を極薄の絶縁膜で塞ぐポアシールプロセスを開発した。CVD法で形成した、平均ポア径0.63nmのSiOCH膜の側壁を、プラズマ重合法で形成したCu拡散耐性に優れるBCB(ベンゾシクロブテン)膜(p-BCB; k=2.7)でポアシールし、微細配線間(S=90nm)のTDDB寿命を5倍向上した。このような技術を用いて、ポーラス(k=2.5)/リジッドSiOCH (k=2.9)層間膜構造にて、180nm/200nmピッチの3層シングルダマシン配線を形成し、配線特性を評価した。配線・ビア抵抗、配線間容量においてはスケーラブルな配線特性が得られ、EM、SIV等の信頼性にも優れる多層配線を開発した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-01-26

著者

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 植木 誠

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECシステムデバイス研究所

• 伊藤 文則

  NECシステムデバイス研究所

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  NECシステムデバイス研究所

• 井上 尚也

  NECシステムデバイス研究所

• 阿部 真理

  NECシステムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  NECシステムデバイス研究所

• 古武 直也

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  NECシステムデバイス研究所

• 田村 貴央

  NECELプロセス技術事業部

• 吉木 政行

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  NECシステムデバイス研究所

• 田上 政由

  NECシステムデバイス研究所

• 肱岡 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 新井 浩一

  NECシステムデバイス研究所

• 藤井 清

  NECELプロセス技術事業部

• 植木 誠

  東北大学:(現)新日本製鐵(株)

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大竹 浩人

  東北大

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 田村 貴央

  Necel

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 古武 直也

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  Necエレクトロニクス

• 肱岡 健一郎

  青山学院大学電気電子工学科

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 井上 尚也

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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