陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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陽電子消滅法(PALS)を用いてポーラスLow-k膜中の吸湿量におけるポアサイズおよびポア連結性依存性を評価した。ポアサイズとポア連結性の減少によりポーラス膜はPCT試験等のような高温多湿環境においても極めて強い吸湿耐性を示すことがわかった。ポア連結性の低減(クローズドポア化)は45nm以降の高信頼性ポーラス材料を開発する上で極めて有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-02-01
著者
-
鈴木 良一
産総研
-
大平 俊行
産総研
-
大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
鈴木 良一
産業技術総合研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
伊藤 文則
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
竹内 常雄
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
山本 博規
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
林 喜宏
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
大平 俊行
産業技術総合研究所
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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