林 喜宏 | NECシステムデバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• HAYASHI Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 植木 誠

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  東北大学:(現)新日本製鐵(株)

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 川原 潤

  Necエレクトロニクス

• 小野寺 貴弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  東北大

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 山本 博規

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 木下 啓蔵

  NEC

• FURUTAKE Naoya

  System Devices Research Laboratories, NEC

• HAYASHI Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC

• 伊藤 文則

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  NECシステムデバイス研究所

• 阿部 真理

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 古武 直也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  NECシステムデバイス研究所

• 田上 政由

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NEC シリコンシステム研究所

• Harada Yoshimichi

  Device Platforms Research Labs. Nec.

• TODA Takeshi

  NEC Electronics

• INOUE Naoya

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• FURUTAKE Naoya

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 肱岡 健一郎

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 井上 尚也

  NECシステムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  NECシステムデバイス研究所

• 古武 直也

  NECシステムデバイス研究所

• 川原 潤

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田村 貴央

  NECELプロセス技術事業部

• 吉木 政行

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  NECシステムデバイス研究所

• 肱岡 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 藤井 清

  NECELプロセス技術事業部

• 小林 一雄

  株式会社 岡本工作機械製作所

• 植木 誠

  日本電気株式会杜

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 小林 一雄

  (株)岡本工作機械製作所

• 左光 大和

  (株)岡本工作機械製作所

• 山本 栄一

  (株)岡本工作機械製作所

• 田中 潔

  (株)岡本工作機械製作所

• 佐々木 直樹

  (株)岡本工作機械製作所

• 栗野 元一郎

  (株)岡本工作機械製作所

• 川原 潤

  半導体MIRAI-ASET

• 木下 啓蔵

  半導体MIRAI-ASET

• 田辺 昭

  Necエレクトロニクス(株)

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 長瀬 寛和

  NECエレクトロニクス

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 小林 一雄

  岡本工作機械製作所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• INOUE Naoya

  System Devices Research Laboratories, NEC

• SHINMURA Toshiki

  NEC Electronics

• IWAKI Takayuki

  NEC Electronics

• OHTO Koichi

  NEC Electronics

• FURUMIYA Masayuki

  NEC Electronics

• 田辺 昭

  Necエレクトロニクス

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 大島 永康

  産総研

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学科

• 田上 政由

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 久米 一平

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 川原 潤

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 山本 博規

  NECシステムデバイス研究所

• 笠間 佳子

  NECELプロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 戸原 誠

  NECELプロセス技術事業部

• 関根 誠

  NECELプロセス技術事業部

• 伊藤 文則

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 齋藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  NECシステムデバイス研究所

• 井上 尚也

  NEC シリコンシステム研究所

• 山本 博規

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 大島 永康

  産業技術総合研究所

• 吉野 雄信

  半導体mirai-asrc-aist

• 石川 彰

  産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター半導体miraiプロジェクト

• 中野 昭典

  半導体mirai-aset

• 清野 豊

  産業総合研究所

• 児玉 光測

  (株)岡本工作機械製作所

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 関根 誠

  名古屋大学

• 国見 信孝

  半導体MIRAI-ASET

• 石川 彰

  半導体MIRAI-ASET

• 清野 豊

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 尾形 哲郎

  半導体MIRAI-ASET

• 高橋 秀樹

  半導体MIRAI-ASET

• 園田 譲

  半導体MIRAI-ASET

• 後藤 隆

  半導体MIRAI-ASET

• 高田 省三

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 市川 理恵

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 三好 秀典

  半導体MIRAI-ASET

• 松尾 尚典

  半導体MIRAI-ASET

• 足立 三郎

  半導体MIRAI-ASET

• 吉川 公麿

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 市川 理恵

  半導体mirai-asrc-aist

• 関根 誠

  名大

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 高田 省三

  半導体mirai-asrc-aist

• 伊藤 文則

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 竹内 常雄

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 山本 博規

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 川原 潤

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 吉川 公麿

  広島大学:産業総合研究所

• 松尾 尚典

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構半導体MIRAIプロジェクト

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 深井 利憲

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 田上 政由

  NEC Electronics Corporation

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• Okada Norio

  Advanced Technology Center National Astronomical Observatory

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 中村 友二

  半導体理工学センター(starc)

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 北尾 良平

  NECエレクトロニクス

• 井上 尚也

  半導体理工学センター(STARC)

• 林 喜宏

  半導体理工学センター(STARC)

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 廣瀬 幸範

  半導体理工学センター(STARC)

• 大島 永康

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 田村 貴央

  Necel

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 廣井 政幸

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 木下 啓蔵

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 宇佐美 達也

  NEC先端デバイス開発本部

• 廣井 政幸

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 利根川 丘

  NEC先端デバイス開発本部

• 柴 和利

  NEC先端デバイス開発本部

• 斎藤 忍

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 川原 潤

  NECシリコンシステム研究所

• 木下 啓蔵

  NECシリコンシステム研究所

• 斉藤 忍

  NECシリコンシステム研究所

• 小野寺 貴弘

  NECシリコンシステム研究所

• 高橋 宗司

  NECシリコンシステム研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 大島 永康

  理化学研究所

• 藤井 清

  NECエレクトロニクス

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 吉野 雄信

  広島大 ナノデバイス・システム研セ

• Oda Noriaki

  Nec Electronics Corp. Kawasaki‐shi Jpn

• KUME Ippei

  System Devices Research Laboratories, NEC

• OHTAKE Hiroto

  System Devices Research Laboratories, NEC

• SAITOH Shinobu

  System Devices Research Laboratories, NEC

• KAWAHARA Jun

  System Devices Research Laboratories, NEC

• MATSUI Koujirou

  NEC Electronics

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター(starc)

• Hayashi Yoshihiro

  Nec Corp. Kanagawa Jpn

• YAMADA Kenta

  NEC Electronics Corporation

• Yamada Kenta

  Nec Electronics Corp. Kawasaki‐shi Jpn

• 吉木 政行

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• ITO Fuminori

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• YAMAMOTO Hironori

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• TAKEUCHI Tsuneo

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• ABE Mari

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• SAITO Shinobu

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 古谷 晃

  NEC

• Hayashi Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs. Nec.

• Kikkawa Takamaro

  Advanced Semiconductor Research Center (asrc) National Institute Of Advanced Industrial Science And

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著作論文

• 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 分極緩和を考慮したFeRAM非線形信頼性予測モデル
• 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
• 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
• インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第2報 基本構成
• インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第1報 基本概念
• A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
• Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• 3. 45nm/32nm世代ULSI対応の最先端配線技術(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
• ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
• 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
• プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
• プラズマ重合BCB膜成長技術と銅ダマシン配線への適用
• High Performance SiN-MIM Decoupling Capacitors with Surface-smoothed Bottom Electrodes for High-speed MPUs
• EB直描を用いた先端デバイスの試作
• 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
• 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
• サブ0.1μm次世代LSIにおけるナノ界面制御技術による銅配線信頼性制御技術
• Impact of Barrier Metal Sputtering on Low-k SiOCH Films with Various Chemical Structures
• A Metallurgical Prescription Suppressing Stress-induced Voiding (SIV) in Cu lines
• ユビキタス時代に対応したLSIデバイスの構造変革 : RF特性の及ぼす寄生抵抗・容量の影響(配線・実装技術と関連材料技術)
• パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価
• 低誘電率絶縁膜材料の進化と最先端ULSI多層配線技術
• Improvement of Uniformity and Reliability of Scaled-Down Cu Interconnects with Carbon-Rich Low-$k$ Films
• Chip-Level Performance Maximization Using ASIS (Application-Specific Interconnect Structure) Wiring Design Concept for 45nm CMOS Generation(Device,Low-Power, High-Speed LSIs and Related Technologies)
• Precise Taper-Angle-Control of Via Holes for Reliable Scaled-Down Low-$k$/Cu Interconnects
• Porous Low-$k$ Impacts on Performance of Advanced LSI Devices with GHz Operations
• A New Differential-Amplifier-Based Offset-Cancellation Sense Amplifier for Speed-Improvement of High-Density Static Random Access Memories in Scaled-Down Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Technology
• Surface Control of Bottom Electrode in Ultra-Thin SiN Metal–Insulator–Metal Decoupling Capacitors for High Speed Processors
• Extrasmall-Area Three-Dimensional Solenoid-Shaped Inductor Integrated into High-Speed Signal Processing Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Ultralarge-Scale Integrated Circuits
• A Novel Multilayered Ni–Zn-Ferrite/TaN Film for RF/Mobile Applications
• Defectless Monolithic Low-$k$/Cu Interconnects Produced by Chemically Controlled Chemical Mechanical Polishing Process with In situ End-Point-Detection Technique
• Microstructure Control of Low-Loss Ni–Zn Ferrite by Low-Temperature Sputtering for On-Chip Magnetic Film
• Effects of the Metallurgical Properties of Upper Cu Film on Stress-Induced Voiding (SIV) in Cu Dual-Damascene Interconnects
• Impact of Barrier Metal Sputtering on Physical and Chemical Damages in Low-$k$ SiOCH Films with Various Hydrocarbon Content
• A Novel Gate Electrode Structure for Reduction of Gate Resistance of Sub-0.1 μm RF/Mixed-Signal Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors

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