五十嵐 信行 | 日本電気株式会社システムデバイス研究所
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概要
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
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五十嵐 信行
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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NECエレクトロニクス株式会社
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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日本電気株式会杜
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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林 喜宏
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渡部 平司
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五十嵐 信行
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森岡 あゆ香
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渡部 宏治
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中村 吉男
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
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日本アイ・ビー・エム株式会社APTO品質
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株式会社松下テクノリサ一チ
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砂村 潤
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砂村 潤
日本電気株式会社
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上田 修
株式会社富士通研究所
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宮本 良之
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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寺島 浩一
日本電気
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渡部 宏治
NECシリコンシステム研究所
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辻 智
日本アイ・ビー・エム株式会社大和事業所
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辻 智
日本アイ・ビー・エム(株) ディスプレー・テクノロジー
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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五十嵐 信行
NECデバイスプラットフォーム研究所
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渡部 宏治
NECデバイスプラットフォーム研究所
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増崎 幸治
NECデバイスプラットフォーム研究所
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中川 隆史
NECデバイスプラットフォーム研究所
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五十嵐 信行
NECラボラトリーズ
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渡部 宏治
NECラボラトリーズ
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宮本 良之
NECラボラトリーズ
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細川 由美子
NECシリコンシステム研究所
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石田 宏一
NECマイクロエレ研
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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藪内 康文
株式会社松下テクノリサーチ
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辻 智
日本アイ・ビー・エム(株)
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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中村 吉男
東京工業大学
著作論文
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- 特集企画にあたって
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- HfO_2/SiO_2界面の熱安定性のHAADF-STEM評価 : Hf分布の定量的測定と拡散係数の決定
- Si酸窒化膜/Si(001)界面研究の最近の展開
- Sio_2/Si 界面構造の原子スケール直接観察
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- 22aWB-9 SiO_2/Si(001)界面構造の原子スケール直接観察
- HREM断面観察を用いたSiO_2/Si界面平坦性の定量測定
- 31a-WC-10 Si/Ge界面2x1秩序構造のHREM, GID観察