相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
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概要
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- 2005-06-03
著者
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
-
長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
-
辰巳 徹
NECシステムデバイス研究所
-
高橋 健介
日本電気株式会社
-
五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
NECシステムデバイス研究所
-
望月 康則
Necシステムデバイス研究所
-
五十嵐 多恵子
NECシステムデバイス研究所
-
吉原 拓也
NECシステムデバイス研究所
-
渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
-
間部 謙三
日本電気株式会社
-
辰巳 徹
日本電気株式会社
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