極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
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概要
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低電圧動作高性能CMOSデバイスを実現するにはゲート絶縁膜の薄膜化が必須である. 薄膜化に伴い, P^+ゲートPMOSのゲート電極中のボロンが絶縁膜を突き抜けることでデバイス特性を変動させたり信頼性が低下する等, 様々な問題が顕在化している. 我々はシリコン直接窒化+ウェット酸化法という窒素を多量に含んだ新しい極薄酸窒化膜の形成方法を提案し, MOSFET特性の評価を行った. その結果, 2.5nmの薄膜でPMOSのボロン突き抜けを抑制できること, NMOSのホットキャリア信頼性が向上すること, 良好なオン・オフ電流特性が得られること等が分かり, 本手法で形成した酸窒化膜が有望であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-25
著者
-
辰巳 徹
日本電気(株)
-
小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
-
小倉 卓
(株)genusion
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
最上 徹
Necシステムデバイス研究所
-
山本 豊二
日本電気(株)
-
小倉 卓
日本電気(株)
-
斉藤 幸重
日本電気(株)
-
上沢 謙一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
斉藤 幸重
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
辰巳 徹
日本電気株式会社
-
上沢 謙一
日本電気(株)
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