小倉 卓 | Necエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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渡辺 啓仁
日本電気株式会社
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西藤 哲史
日本電気株式会社
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高橋 健介
日本電気株式会社
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辰巳 徹
日本電気(株)
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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間部 謙三
日本電気株式会社
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山本 豊二
日本電気(株)
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寺島 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小倉 卓
日本電気(株)
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斉藤 幸重
日本電気(株)
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上沢 謙一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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斉藤 幸重
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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山本 一郎
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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松波 弘之
京大工
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松波 弘之
京都大学工学部
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冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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君塚 直彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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安田 有里
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC、システムデバイス研究所
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藤枝 信次
NEC、システムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC、システムデバイス研究所
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辰巳 徹
NEC、システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NEC、システムデバイス研究所
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今井 清隆
NEC、システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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山本 一郎
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山本 一郎
Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部
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増崎 幸治
日本電気株式会社
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寺島 浩一
日本電気
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小倉 卓
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小倉 卓
京都大学工学部
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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君塚 直彦
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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上沢 謙一
日本電気(株)
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松波 弘之
京都大学工学研究科
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渡辺 啓仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NECシステムデバイス研究所
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寺井 真之
NECシステムデバイス研究所
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高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
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長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NECシステムデバイス研究所
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辰巳 徹
NECシステムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC シリコンシステム研究所
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寺井 真之
NEC シリコンシステム研究所
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渡辺 啓仁
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 平司
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC シリコンシステム研究所
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宮村 真
NEC シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NEC シリコンシステム研究所
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森岡 あゆ香
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
NEC シリコンシステム研究所
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斎藤 幸重
NEC シリコンシステム研究所
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矢部 裕子
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 多恵子
NEC シリコンシステム研究所
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増崎 幸治
NEC シリコンシステム研究所
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望月 康則
NEC シリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
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岡 徹
日立製作所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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小倉 卓
日本電気
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上沢 兼一
日本電気(株)
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小池 貴夫
京都大学工学部
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藤森 敬和
京都大学工学部
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
-
小池 貴夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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五十嵐 信行
日本電気
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渡部 宏治
日本電気
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忍田 真希子
日本電気
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
-
砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用