高橋 健介 | NECシステムデバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NECシステムデバイス研究所の論文著者

関連著者

• 高橋 健介

  NECシステムデバイス研究所

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NECシステムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシステムデバイス研究所

• 間部 謙三

  NECシステムデバイス研究所

• 間部 謙三

  日本電気株式会社

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 五十嵐 多恵子

  NECシステムデバイス研究所

• 吉原 拓也

  NECシステムデバイス研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 西藤 哲史

  NECシステムデバイス研究所

• 寺井 真之

  NECシステムデバイス研究所

• 小倉 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  NECシステムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

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著作論文

• 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
• 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

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