渡辺 啓仁 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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渡辺 啓仁
日本電気株式会社
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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西藤 哲史
日本電気株式会社
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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高橋 健介
日本電気株式会社
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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間部 謙三
日本電気株式会社
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
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寺島 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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山本 一郎
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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辰巳 徹
日本電気(株)
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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君塚 直彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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安田 有里
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC、システムデバイス研究所
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藤枝 信次
NEC、システムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC、システムデバイス研究所
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辰巳 徹
NEC、システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NEC、システムデバイス研究所
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今井 清隆
NEC、システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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山本 一郎
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山本 一郎
Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部
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増崎 幸治
日本電気株式会社
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寺島 浩一
日本電気
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小倉 卓
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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君塚 直彦
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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渡辺 啓仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
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酒井 朗
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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砂村 潤
日本電気(株)基礎研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NECシステムデバイス研究所
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寺井 真之
NECシステムデバイス研究所
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高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
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長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NECシステムデバイス研究所
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辰巳 徹
NECシステムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC シリコンシステム研究所
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寺井 真之
NEC シリコンシステム研究所
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渡辺 啓仁
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 平司
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC シリコンシステム研究所
-
宮村 真
NEC シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NEC シリコンシステム研究所
-
森岡 あゆ香
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
NEC シリコンシステム研究所
-
斎藤 幸重
NEC シリコンシステム研究所
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矢部 裕子
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 多恵子
NEC シリコンシステム研究所
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増崎 幸治
NEC シリコンシステム研究所
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望月 康則
NEC シリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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小辻 節
日本電気(株)システムデバイス研究所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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小倉 卓
日本電気
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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本間 一郎
日本電気株式会社
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廣田 俊幸
日本電気株式会社
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
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五十嵐 信行
日本電気
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渡部 宏治
日本電気
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忍田 真希子
日本電気
著作論文
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- 半導体メモリー用HSG-Siキャパシタの開発
- 半球状グレインポリシリコンの形成機構