長谷 卓 | NECシステムデバイス研究所

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概要

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関連著者

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 高橋 健介

  NECシステムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NECシステムデバイス研究所

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 田辺 伸広

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 小林 壮太

  NEC

• 前島 幸彦

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシステムデバイス研究所

• 間部 謙三

  NECシステムデバイス研究所

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 五十嵐 多恵子

  NECシステムデバイス研究所

• 吉原 拓也

  NECシステムデバイス研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 間部 謙三

  日本電気株式会社

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 中島 務

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 松木 武雄

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 山田 淳一

  Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部

• 小池 洋紀

  NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部

• 豊島 秀雄

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 三輪 達

  NECシリコンシステム研究所

• 奈倉 健

  NEC

• 天沼 一志

  NECシリコンシステム研究所

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 三輪 達

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 小池 洋紀

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 森 秀光

  日本電気(株)

• 田辺 伸広

  日本電気(株)

• 清家 綾

  日本電気(株)

• 竹内 英代

  日本電気(株)

• 山田 純一

  日本電気(株)

• 前島 幸彦

  日本電気(株)

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 小林 壮太

  日本電気(株)

• 奈倉 健

  日本電気(株)

• 杉山 秀樹

  日本電気(株)

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 長谷 卓

  日本電気(株)

• 波田 博光

  日本電気(株)

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 波田 博光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 田辺 伸広

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 斉藤 忍

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 常雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 小林 壮太

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 前島 幸彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 務

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 天沼 一志

  NEC基礎研究所

• 長谷 卓

  NEC基礎研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 西藤 哲史

  NECシステムデバイス研究所

• 寺井 真之

  NECシステムデバイス研究所

• 小倉 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  NECシステムデバイス研究所

• 竹内 英代

  Nec

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

• 笠井 直記

  Nec 先端デバイス開発本部

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 笠井 直記

  東北大学

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著作論文

• 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
• ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
• 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
• 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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