辰巳 徹 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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日本電気株式会社
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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高橋 健介
日本電気株式会社
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
日本電気株式会社
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間部 謙三
日本電気株式会社
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辰巳 徹
日本電気(株)
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山本 豊二
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
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長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
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辰巳 徹
NECシステムデバイス研究所
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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山本 豊二
日本電気(株)
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寺島 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小倉 卓
日本電気(株)
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日本電気(株)
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上沢 謙一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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斉藤 幸重
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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Nec Electronics Corporation
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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山本 一郎
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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君塚 直彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
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安田 有里
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC、システムデバイス研究所
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藤枝 信次
NEC、システムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC、システムデバイス研究所
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辰巳 徹
NEC、システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NEC、システムデバイス研究所
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今井 清隆
NEC、システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
NECシステムデバイス研究所
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間部 謙三
NECシステムデバイス研究所
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五十嵐 多恵子
NECシステムデバイス研究所
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吉原 拓也
NECシステムデバイス研究所
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山本 一郎
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山本 一郎
Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部
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増崎 幸治
日本電気株式会社
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寺島 浩一
日本電気
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小倉 卓
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小野 春彦
日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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小野 春彦
NECシリコンシステム研
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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君塚 直彦
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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日本電気(株)
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成広 充
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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若林 整
NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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酒井 朗
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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若林 整
ソニー(株)
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NECシステムデバイス研究所
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寺井 真之
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NECシステムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC シリコンシステム研究所
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寺井 真之
NEC シリコンシステム研究所
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渡辺 啓仁
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 平司
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC シリコンシステム研究所
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宮村 真
NEC シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NEC シリコンシステム研究所
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森岡 あゆ香
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
NEC シリコンシステム研究所
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斎藤 幸重
NEC シリコンシステム研究所
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矢部 裕子
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 多恵子
NEC シリコンシステム研究所
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増崎 幸治
NEC シリコンシステム研究所
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望月 康則
NEC シリコンシステム研究所
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深井 利憲
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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秋本 晃一
Necマイクロエレ研
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石田 宏一
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研
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池澤 延幸
Necエレクトロニクス(株)
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
Necマイクロエレクトロニクス研
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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川本 英明
Necエレクトロニクス(株)
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辰巳 徹
NEC(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
NEC(株)システムデバイス研究所
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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小倉 卓
日本電気
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上沢 兼一
日本電気(株)
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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本間 一郎
日本電気株式会社
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廣田 俊幸
日本電気株式会社
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石田 宏一
NECマイクロエレ研
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
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五十嵐 信行
日本電気
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渡部 宏治
日本電気
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忍田 真希子
日本電気
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- 半導体メモリー用HSG-Siキャパシタの開発
- 31a-WC-10 Si/Ge界面2x1秩序構造のHREM, GID観察
- 半球状グレインポリシリコンの形成機構