藤枝 信次 | 「応用物理」編集委員会

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概要

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• 「応用物理」編集委員会の論文著者

関連著者

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 藤枝 信次

  「応用物理」編集委員会

• 藤枝 信次

  Ecシリコノシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 劉 紫園

  NECエレクトロニクス評価技術開発事業部

• 藤枝 信次

  NECシリコンシステム研究所

• 劉 紫園

  Necエレクトロニクス

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 山本 一郎

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 前畑 京介

  「応用物理」編集委員会

• 君塚 直彦

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 安田 有里

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 岩本 敏幸

  NEC、システムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  NEC、システムデバイス研究所

• 小倉 卓

  NEC、システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NEC、システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC、システムデバイス研究所

• 今井 清隆

  NEC、システムデバイス研究所

• 寺島 浩一

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 君塚 直彦

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 吉田 隆

  名大院工

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 福谷 克之

  東京大学生産技術研究所

• 青山 敬幸

  「応用物理」編集委員会

• 波田 博光

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 砂村 潤

  日本電気(株)基礎研究所

• 大下 祥雄

  「応用物理」編集委員会

• 白井 肇

  埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻

• 白井 肇

  「応用物理」編集委員会

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 松本 祐司

  「応用物理」編集委員会

• 廣瀬 和之

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部

• 廣瀬 和之

  宇宙科学研

• 吉田 隆

  「応用物理」編集委員会

• 小林 慶裕

  「応用物理」編集委員会

• 小林 潔

  「応用物理」編集委員会

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 小辻 節

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 三浦 喜直

  NECシステムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  NECシステムデバイス研究所

• WILDE Marukus

  東京大学生産技術研究所

• 三浦 喜直

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• Wilde Markus

  東京大学生産技術研究所

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 砂村 潤

  Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構

• 砂村 潤

  日本電気株式会社

• Terai Masayuki

  Department Of Applied Physics Waseda University

• 廣瀬 和之

  宇宙科学研究所

• 小林 潔

  山梨大院医工

• 森岡 あゆ香

  NECグリーンイノベーション研究所

• 砂村 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• 2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
• 2-2 SiO_2/Si 中水素の LSI 長期信頼性への影響
• 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 実用化に向けた高温超伝導材料技術の構築
• 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 極薄シリコン酸窒化膜欠陥の微視的構造の評価
• 共鳴核反応法で見るSiO_2/Si界面近傍の水素の挙動
• Si 基板上の Al 膜配向性がショットキー特性に及ぼす影響
• 7.不揮発性半導体メモリ(大容量化が進むストレージ技術)
• ポストスケーリング技術の現在
• 近接場光が拓くナノフォトニクスの新展開

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