ポストスケーリング技術の現在
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-09-10
著者
-
青山 敬幸
「応用物理」編集委員会
-
大下 祥雄
「応用物理」編集委員会
-
白井 肇
埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻
-
白井 肇
「応用物理」編集委員会
-
藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
-
藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
-
藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
関連論文
- 2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-2 SiO_2/Si 中水素の LSI 長期信頼性への影響
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 新原理不揮発性半導体メモリー技術 : ポストフラッシュメモリー
- 応用物理学と教育 : 学際分野からの貢献
- プラズマ・プロセス技術
- 非晶質研究より展開した新材料および新プロセス技術
- 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 実用化に向けた高温超伝導材料技術の構築
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄シリコン酸窒化膜欠陥の微視的構造の評価
- 共鳴核反応法で見るSiO_2/Si界面近傍の水素の挙動
- Si 基板上の Al 膜配向性がショットキー特性に及ぼす影響
- 7.不揮発性半導体メモリ(大容量化が進むストレージ技術)
- プラズマ溶液界面の診断とその応用
- 新メモリー技術 : ポストDRAMとしての
- ポストスケーリング技術の現在
- 近接場光が拓くナノフォトニクスの新展開
- プラズマ-電解質溶液界面の物理化学
- 静電塗布法による有機薄膜成長過程の実時間その場診断(センサー,デバイス,一般)
- 酸化グラフェン/結晶Si太陽電池
- 静電塗布法による有機薄膜成長過程の実時間その場診断
- グラファイトの化学的単層剥離と可溶化によるグラフェン塗布膜形成