不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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微細化されたSONOS型不揮発性メモリにおける保持力向上のため、ゲート絶縁膜への金属不純物添加によるトラップ形成を提案する。本手法では、エネルギー的に深く密度が制御されたトラップの形成が期待できる。シリコン酸化膜中へのTi添加により電子捕獲効率が高くエネルギー的に深いトラップが形成可能であることを見出した。添加するTiの量を減少させることにより、電荷貯蔵ノードはTiO_2で構成されるフローティングゲート(15〓の場合)からナノクリスタル(3〓の場合)そして原子トラップ(0.4〓の場合)へと変遷することがわかった。離散的な原子トラップを形成することにより、電荷の面内際分配を抑制し150℃での高温保持特性を向上することに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-05
著者
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
砂村 潤
日本電気(株)基礎研究所
-
藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
-
藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
-
藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
小辻 節
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
-
砂村 潤
日本電気株式会社
-
渡辺 啓仁
日本電気株式会社
-
森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
-
砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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