近接場光が拓くナノフォトニクスの新展開

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2008-06-10

著者

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 藤枝 信次

  「応用物理」編集委員会

• 前畑 京介

  「応用物理」編集委員会

• 小林 慶裕

  「応用物理」編集委員会

• 小林 潔

  「応用物理」編集委員会

• 藤枝 信次

  Ecシリコノシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小林 潔

  山梨大院医工

関連論文

• 2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
• 2-2 SiO_2/Si 中水素の LSI 長期信頼性への影響
• 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 実用化に向けた高温超伝導材料技術の構築
• Si基板上異種材料の結晶成長 : シリコンエレクトロニクスとの融合と新展開
• 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 極薄シリコン酸窒化膜欠陥の微視的構造の評価
• 共鳴核反応法で見るSiO_2/Si界面近傍の水素の挙動
• Si 基板上の Al 膜配向性がショットキー特性に及ぼす影響
• 7.不揮発性半導体メモリ(大容量化が進むストレージ技術)
• 基礎講座
• 基礎講座
• 基礎講座
• 基礎講座
• 基礎講座
• 環境計測を支える応用物理
• 広がる超伝導技術 : 量子コンピューターへの展開
• 基礎講座
• 基礎講座
• 環境計測を支える応用物理
• ナノ光電子機能を探索する
• ポストスケーリング技術の現在
• 近接場光が拓くナノフォトニクスの新展開
• 21pPSB-54 二重量子井戸構造における励起移動の理論(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 18aPSB-51 多重量子井戸間の励起移動の理論的研究(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
• 28pPSB-19 多重量子井戸間の励起移動の理論的研究II(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク