2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
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概要
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水素は酸化膜バルク中に1.5×10^<19>/cm^3、界面遷移層には1×l0^<14>/cm^2存在することがわかった。LSIの長期信頼性を左右する負電圧温度不安定性(NBTI)と水素との関係を調べた結果、ゲート酸化膜中の水素がNBTIに伴ってSiO_2/Si界面にマイグレーションすることが観察され、水素がNBTIに直接関与することを明らかにした。さらPost-Oxidation Annealing (POA)は水素の界面局在を抑制してNBTI耐性を改善することが確認された。
- 2003-11-25
著者
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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劉 紫園
NECエレクトロニクス評価技術開発事業部
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藤枝 信次
NECシリコンシステム研究所
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寺島 浩一
NECシリコンシステム研究所
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劉 紫園
Necエレクトロニクス
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