実用化に向けた高温超伝導材料技術の構築
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-01-10
著者
-
吉田 隆
名大院工
-
藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
松本 祐司
「応用物理」編集委員会
-
吉田 隆
「応用物理」編集委員会
-
藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
-
前畑 京介
「応用物理」編集委員会
-
藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
-
藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
関連論文
- 2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-2 SiO_2/Si 中水素の LSI 長期信頼性への影響
- 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 環境・エネルギー・農業に貢献するレーザー・LED技術
- Beyond CMOS に向けて
- 実用化に向けた高温超伝導材料技術の構築
- 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄シリコン酸窒化膜欠陥の微視的構造の評価
- 共鳴核反応法で見るSiO_2/Si界面近傍の水素の挙動
- Si 基板上の Al 膜配向性がショットキー特性に及ぼす影響
- 7.不揮発性半導体メモリ(大容量化が進むストレージ技術)
- PLD法で作成したREBa_2Cu_30_y薄膜の配向性
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座
- 環境計測を支える応用物理
- 基礎講座
- 基礎講座
- 環境計測を支える応用物理
- 非晶質製膜技術の進歩
- ポストスケーリング技術の現在
- 近接場光が拓くナノフォトニクスの新展開
- PLD-YbBa_2Cu_3O_y膜のJ_cに及ぼす膜厚、ターゲットの影響
- 超伝導分科会企画 超伝導膜から広がる次世代技術
- 超伝導
- 超伝導
- 26aPS-55 BaHfO_3ナノロッドを含むSmBa_2Cu_3O_y薄膜の走査トンネル顕微鏡観察(領域8ポスターセッション(理論,空間非対称,アクチノイドなど),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))