君塚 直彦 | Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

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概要

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関連著者

• 君塚 直彦

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 君塚 直彦

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 一郎

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 藤枝 信次

  「応用物理」編集委員会

• 藤枝 信次

  Ecシリコノシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 堀内 忠彦

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 安田 有里

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 岩本 敏幸

  NEC、システムデバイス研究所

• 藤枝 信次

  NEC、システムデバイス研究所

• 小倉 卓

  NEC、システムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NEC、システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC、システムデバイス研究所

• 今井 清隆

  NEC、システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 大西 秀明

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 今井 清隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 飯塚 貴弘

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• Liu C.T.

  Bell Labs, Lucent Technologies

• Keller R.C.

  Bell Labs, Lucent Technologies

• 山口 謙介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 獅子口 清一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 君塚 直彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• Liu C.t.

  Bell Labs Lucent Technologies

• Keller R.c.

  Bell Labs Lucent Technologies

• 獅子口 清一

  Nec Ulsi デバイス開発研究所

• 飯塚 貴弘

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• 極薄ゲート酸化膜への窒素導入がNBTIに及ぼす影響
• C-11-1 低エネルギーヒ素注入とリンの混合注入によるソース/ドレイン形成技術
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 90nmCMOS用ポリSiGeゲート電極技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)

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