堀内 忠彦 | Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

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概要

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関連著者

• 堀内 忠彦

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 松原 義久

  NEC

• 松原 義久

  日本電気株式会社 Ulsiデバイス開発研究所

• 大西 秀明

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 石上 隆司

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 松原 義久

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 中村 弘幸

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 今井 清隆

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 大西 秀明

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 中村 弘幸

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 酒井 哲哉

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 君塚 直彦

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 井口 学

  Nec

• 深作 克彦

  ソニー株式会社

• 堀内 忠彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 奥村 孝一郎

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 松田 友子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 小野 篤樹

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 深作 克彦

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 深井 利憲

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 池澤 延幸

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 井口 学

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• 今井 清隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 君塚 直彦

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 飯塚 貴弘

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• Liu C.T.

  Bell Labs, Lucent Technologies

• Keller R.C.

  Bell Labs, Lucent Technologies

• 山口 謙介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 獅子口 清一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 君塚 直彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 松原 義久

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 小野 篤樹

  Necエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• Liu C.t.

  Bell Labs Lucent Technologies

• Keller R.c.

  Bell Labs Lucent Technologies

• 獅子口 清一

  Nec Ulsi デバイス開発研究所

• 飯塚 貴弘

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• 1.0V駆動による高性能70nm CMOS技術
• TiN/Ti積層膜を用いたAr雰囲気熱処理によるTiサリサイド形成方法の検討
• 極薄ゲート酸化膜への窒素導入がNBTIに及ぼす影響
• C-11-1 低エネルギーヒ素注入とリンの混合注入によるソース/ドレイン形成技術
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• チタン・シリサイドプロセスにおける構造相転移の問題について

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