松原 義久 | 日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 松原 義久

  NEC

• 松原 義久

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 石上 隆司

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 松原 義久

  日本電気株式会社 Ulsiデバイス開発研究所

• 大西 秀明

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 中村 弘幸

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 今井 清隆

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 大西 秀明

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 中村 弘幸

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 酒井 哲哉

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 野口 江

  日本電気

• 奥村 孝一郎

  日本電気

• 井口 学

  Nec

• 奥村 孝一郎

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 井口 学

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 松原 義久

  日本電気

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著作論文

• TiN/Ti積層膜を用いたAr雰囲気熱処理によるTiサリサイド形成方法の検討
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• ストライプパターンのデフォーカス特性を応用した層間膜平坦化技術

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