ストライプパターンのデフォーカス特性を応用した層間膜平坦化技術
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概要
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0.25μmレベルの多層配線技術にグローバル層間膜平坦化は必須である。CMP(Chemical Mechanical Polishing)技術は、このグローバル平坦化技術の1つとして注目されているものの、新規設備投資が必要である。ここではCMP装置の導入無しで、既存の装置(ステッパーとエッチャー)によりグローバルな層間膜平坦化のできる技術を検討した。この新技術は、ステッパーの焦点を絶対段差の低い領域に合わせることにより、ストライプレジストパターンを絶対段差の低い領域に選択的に形成することを特徴とする。この技術を絶対段差が3μm以上ある4層配線に適用し、絶対段差が1, 4に低減できた結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-28
著者
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