0.56μmピッチCu配線の0.15μm CMOS適用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-04-07
著者
-
井口 学
Nec
-
五味 秀樹
日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所
-
五味 秀樹
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
竹脇 利至
NEC
-
松原 義久
NEC
-
五味 秀樹
Nec
-
松原 義久
日本電気株式会社 Ulsiデバイス開発研究所
関連論文
- 0.13μmCMOSに向けた新配線設計コンセプト「トリプル・ダマシン」を用いた性能向上
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- 0.56μmピッチCu配線の0.15μm CMOS適用
- Cu多層配線技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- TiN/Ti積層膜を用いたAr雰囲気熱処理によるTiサリサイド形成方法の検討
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
- SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
- チタン・シリサイドプロセスにおける構造相転移の問題について
- ストライプパターンのデフォーカス特性を応用した層間膜平坦化技術