松原 義久 | 日本電気株式会社 Ulsiデバイス開発研究所

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関連著者

• 松原 義久

  NEC

• 松原 義久

  日本電気株式会社 Ulsiデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 井口 学

  Nec

• 石上 隆司

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 松原 義久

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 堀内 忠彦

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 大西 秀明

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 竹脇 利至

  NEC

• 中村 弘幸

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 今井 清隆

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 大西 秀明

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 中村 弘幸

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 酒井 哲哉

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 五味 秀樹

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 五味 秀樹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 奥村 孝一郎

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 井口 学

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

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著作論文

• 0.56μmピッチCu配線の0.15μm CMOS適用
• Cu多層配線技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• TiN/Ti積層膜を用いたAr雰囲気熱処理によるTiサリサイド形成方法の検討
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
• チタン・シリサイドプロセスにおける構造相転移の問題について

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