TiN/Ti積層膜を用いたAr雰囲気熱処理によるTiサリサイド形成方法の検討
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概要
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微細CMOSで使われるTiサリサイドはゲート上など細線で形成でき、しかも拡散層の浅接合化のため薄膜で形成可能であることが要求されている。通常、Tiサリサイドプロセスは酸化膜上へのシリサイド反応の進行を抑えるためシリサイド形成熱処理と同時にTiを窒化させる。ところがTiの堆積膜厚が薄い場合、Tiの窒化反応がシリサイド反応を抑制するためシリサイドの低抵抗化が困難となる。そこでTiの窒化反応を抑制するため、固相拡散によりTiNから窒素をTi中に拡散させ、これをアルゴン雰囲気中の熱処理で行うことにより、サリサイドを形成する方法を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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井口 学
Nec
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石上 隆司
日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所
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松原 義久
NEC
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松原 義久
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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井口 学
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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堀内 忠彦
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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堀内 忠彦
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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松原 義久
日本電気株式会社 Ulsiデバイス開発研究所
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