池澤 延幸 | Necエレクトロニクス(株)
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概要
関連著者
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池澤 延幸
Necエレクトロニクス(株)
-
今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
深作 克彦
ソニー株式会社
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松田 友子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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小野 篤樹
Necエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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堀内 忠彦
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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小山 晋
NEC エレクトロニクス(株)
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羽根 正巳
NEC(株)システムデバイス研究所
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池澤 健夫
NEC情報システムズ
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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若林 整
NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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若林 整
ソニー(株)
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小山 晋
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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国宗 依信
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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小野 篤樹
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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深作 克彦
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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平井 友洋
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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真壁 真理子
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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松田 友子
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
国宗 依信
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
瀧本 道也
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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池澤 延幸
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
山田 泰久
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
小場 文夫
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
今井 清隆
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
中村 典生
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
小野 篤樹
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
深作 克彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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池澤 延幸
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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堀内 忠彦
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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川本 英明
Necエレクトロニクス(株)
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山田 秦久
Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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辰巳 徹
NEC(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
NEC(株)システムデバイス研究所
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 100nm世代SOC対応CMOSプロセス
- 1.0V駆動による高性能70nm CMOS技術
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)