羽根 正巳 | NEC(株)システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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羽根 正巳
NEC(株)システムデバイス研究所
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池澤 健夫
NEC情報システムズ
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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NECシリコンシステム研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正巳
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羽根 正巳
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池澤 健夫
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羽根 正巳
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広島大学
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若林 整
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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NEC(株)システムデバイス研究所
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若林 整
ソニー(株)
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NEC情報システムズ
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河田 道人
株式会社nec情報システムズ
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NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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Nec 基礎・環境研
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阪本 利司
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ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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江崎 達也
NEC
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NEC
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山本 豊二
NEC
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NEC(株)システムデバイス研究所
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NEC(株)基礎・環境研究所
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NEC(株)基礎・環境研究所
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山上 滋春
NEC(株)システムデバイス研究所
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竹内 潔
NEC(株)システムデバイス研究所
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池澤 延幸
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羽根 正巳
Nec シリコンシステム研
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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川本 英明
Necエレクトロニクス(株)
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辰巳 徹
NEC(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
NEC(株)システムデバイス研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社
著作論文
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)