河田 道人 | 株式会社nec情報システムズ

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概要

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関連著者

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 江崎 達也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 江崎 達也

  広島大学

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 河田 道人

  NEC情報システムズ

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 竹田 裕

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

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著作論文

• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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