フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSiGeチャネル条件について調べた。その結果、短チャネルデバイスのオン電流に対しては、歪みSiGeチャネルのGe組成比(χ_<Ge>)が高ければ高いほど良いことが分かった。χ_<Ge>が高すぎると歪みを維持可能なチャネル厚さが薄くなり、散乱増加によって移動度が減少するが、短チャネルデバイスのオン電流増大に対しては、高χ_<Ge>条件での高いチャネル注入速度がより重要になる。また、<110>チャネル方向1軸性圧縮歪みは歪みSiGeチャネルpMOSFETに対しても有効であり、更なるオン電流向上が期待できることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-05
著者
-
河田 道人
株式会社nec情報システムズ
-
竹田 裕
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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