SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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CMOS SRAMが超高速CPUのみならずSoC製品一般に必須な素子であることは言うまでもないが、この先の世代に向けた高性能化、低消費電力化と微細化が技術的に困難になりつつある。この問題に関して回路設計者とデバイス技術者がこのSDM/ICD合同研究会のような場に一堂に会して互いの認識を一つにするということは意味があると考える。そこで今回のパネルディスカッションは"SRAM:低電圧化とばらつきへの挑戦"と題して企画した。当日は各方面でご活躍されているパネリストの方々に集まっていただき、(1)SRAM(インテグレーション、回路設計)において現状で最も大きな課題は何か?(2)SRAM微細化限界を決める要因は何か?動作電圧の下限は何で決まるか?(3)現在の6T SRAMに代わる新しい工夫はあるか?(4)SRAMに関してデバイス屋から回路屋に対して、または回路屋からデバイス屋に対して一言 という観点から議論をお願いした。これらを通じてパネリスト間、もしくはパネリストと聴衆との間でSRAM微細化に関する議論を深めたい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-10
著者
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
川澄 篤
株式会社東芝
-
川澄 篤
東芝セミコンダクター社
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
-
山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
三本杉 安弘
(株)富士通研究所
-
野田 研二
NSCore
-
三本杉 安弘
富士通研究所
-
竹内 潔
日本電気システムデバイス研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
稲葉 聡
MIRAI-Selete
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
川澄 篤
東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部
-
山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
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