極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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概要
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本報告では,極薄ボディSOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞いを実験的に検討した結果について述べる.SOI厚が10nm程度であれば量子閉じ込め効果によるしきい値電圧のばらつきは小さいが,3mm程度にまで極薄化されると,ばらつきが急激に増大することを明らかにした.また,基板バイアスによるしきい値電圧のばらつき抑制手法を提案し,ばらつきを20%程度削減できることを実験的に示した.一方,極薄SOI pMOSFETにおいて,閉じ込め効果のフォノン散乱への影響を考慮し,SOI厚8.1nmのpMOSFETはフォノン散乱の増大によってのみ移動度が劣化することを実験的に明らかにした.SOI厚4.5nmのpMOSFETの移動度劣化要因はフォノン散乱の増大のみならず,他の散乱要因が影響していることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-13
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
筒井 元
東京大学生産技術研究所
-
齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
-
南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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