<研究解説>0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
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概要
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
デュエト トラン
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
東京大学生産技術研究所
-
石黒 仁揮
東京大学生産技術研究所第3部
-
田中 剛
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
デュエト トラン・ゴック
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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