生駒 俊明 | (株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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概要
関連著者
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生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
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石黒 仁揮
東京大学生産技術研究所第3部
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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高宮 真
東京大学
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センタ-
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生駒 俊明
T.I.筑波研究開発センター
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高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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藤井 呂如
東京大学生産技術研究所第3部
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橋口 原
新日本製鐵(株)エレクトロニクス研究所
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デュエト トラン
東京大学生産技術研究所
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生駒 俊明
東京大学生産技術研究所
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デュエト トラン・ゴック
東京大学生産技術研究所
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藤田 博之
東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター
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生駒 俊明
一橋大学大学院国際企業戦略研究科
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生駒 俊明
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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平本 俊郎
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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田中 剛
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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橋口 原
東京大学生産技術研究所
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藤田 博之
東京大学生産技術研究所
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坂内 正夫
東京大学生産技術研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所基礎技術研究所機能デバイス研究部
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大来 雄二
(株)東芝
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遠山 敦子
文化庁長官
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黒田 玲子
東京大学教養学部
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黒田 玲子
東大 教養
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生駒 俊明
テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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坂内 正夫
東京大学生産技術研所
著作論文
- 科学技術が文化になる
- 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおけるサブバンドギャップインパクトイオン化と基板浮遊効果
- サブ0.1μm SOI MOSFET : そのスケーリングと基板浮遊効果
- 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測
- 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
- リソグラフィー限界を越えたSi量子細線MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケードの観測
- 低電圧動作0.1ミクロン薄膜SOI MOSFETの試作と特性評価
- 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測
- スプリットゲートによる極微細SOI-MOSにおけるコンダクタンス振動現象
- SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象
- SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象
- 量子効果デバイスは実現するか? : 量子効果デバイスは実用化されるか