サブ0.1μm SOI MOSFET : そのスケーリングと基板浮遊効果
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概要
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薄膜SOI MOSFETは将来のVLSIデバイスとして注目されている。完全空乏型SOI MOSFETは理想的なsubthreshold特性を有し低消費電力化が可能であるが, その微細化には従来のバルクMOSFETとは異なる手法が要求される。一方, 部分空乏型SOI MOSFETは基本的にバルクMOSFETと構造や動作原理が同じであるが, このデバイス特有の基板浮遊効果が大きな問題となっている。本稿では, サブ0.1μm完全空乏型SOI MOSFETのスケーリングの手法と, 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETの基板浮遊効果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
高宮 真
東京大学
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
生駒 俊明
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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