生駒 俊明 | 東京大学生産技術研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
生駒 俊明
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
東大 生産技研
-
橋本 佳男
東京大学生産技術研究所
-
斎藤 敏夫
東京大学国際・産学共同研究センター
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
平川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
斎藤 敏夫
東京大学生産技術研修所
-
高宮 真
東京大学
-
平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
東京大学
-
生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
高宮 真
東京大学 生産技術研究所
-
生駒 俊明
科学技術振興機構
-
デュエト トラン
東京大学生産技術研究所
-
デュエト トラン・ゴック
東京大学生産技術研究所
-
鈴木 信也
東京大学生産技術研究所
-
安達 芳夫
東京大学生産技術研究所
-
平川 一彦
東京大
-
Henrickson L.E.
メリーランド大
-
生駒 俊明
テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター(東京大学生産技術研究所客員教授)
-
生駒 俊明
東京大学生産技術研究所概念情報工学研究センター 日本テキサス・インスツルメンツ(株)
-
家 泰弘
物性研究所
-
小林 信一
筑波大学大学院ビジネス科学研究科
-
家 泰弘
東大物性研
-
榊 裕之
東大生産研
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
野口 裕泰
東大生産研
-
八木 隆多
東大物性研
-
榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
-
戸田 巌
富士通研究所
-
野口 裕泰
ソニー(株)中央研究所
-
高木 幹雄
東京大学生産技術研究所
-
原 正史
埼玉大学工学部情報システム工学科
-
金子 優子
科学技術情報研究所:(現)東レ経営研究所
-
小倉 睦郎
東京大学生産技術研究所
-
清水 節子
科学技術情報研究所
-
小林 信一
文教大学
-
根岸 正光
学術情報センター
-
坂上 勝彦
電子技術総合研究所パターン情報部
-
橋本 佳男
信州大学工学部
-
八木 隆多
東大理
-
橋本 佳男
信州大学工学部電気電子工学科
-
平本 俊郎
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
石黒 仁揮
東京大学生産技術研究所第3部
-
田中 剛
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
小田 稔
前理化学研究所
-
坂上 勝彦
東京大学生産技術研究所
-
橋本 佳男
東大生産研
-
小田切 貴秀
東大生産研
-
生駒 俊明
東大生産研
-
加藤 康雄
Nec
-
久保田 勝彦
東京大学生産技術研究所
-
額田 健吉
(財)神奈川科学技術アカデミー
-
滝川 正彦
東京大学生産技術研究所
-
清水 節子
科学技術情報研究所(株)
-
原 和裕
東京大学生産技術研究所
-
谷口 光弘
東京大学生産技術研究所
-
朱 和中
東京大学生産技術研究所
-
小田 稔
理化学研究所
-
平松 竹史
本田技術研究所
-
額田 健吉
神奈川科学技術アカデミー
-
関 成孝
通商産業省
-
南 正名
東芝
-
戸田 巌
富士通
-
勝部 昭明
埼玉大学工学部
-
金井 努
埼玉大学工学部
-
新山 博樹
埼玉大学工学部
-
原 正史
埼玉大学工学部
著作論文
- 2C2 R&DにおけるInput-Output Analysis : 新しい研究評価手法の提案
- 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおけるサブバンドギャップインパクトイオン化と基板浮遊効果
- サブ0.1μm SOI MOSFET : そのスケーリングと基板浮遊効果
- 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
- 「大学の本質と産学連携のあり方」
- 企業経営と研究開発 (生研公開)
- 生産技術研究所50周年に寄せて (50周年誌)
- 学問の多様性と大学 (工学の変容-2-多様性と科学技術)
- 工学における基礎研究と〔東京大学〕生産技術研究所の役割 (新しい工学の基礎)
- 28p-C-11 GaAs/Al_xGa_As超格子の角度依存磁気抵抗振動
- 工学における基礎研究と大学の役割--トランスディシプリナリな学問領域の確立 (90年代の科学技術政策--基礎研究と国際化)
- AlGaSbの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー(LPE)
- ディジタル画像処理による発光ダイオード中の結晶欠陥の動きの解析
- InAs原子層を挿入したGaAs/AlAs界面の電子状態とバンド不連続量
- 半導体ヘテロ界面のバンド不連続量の測定とその制御
- XPS法によるGaAs/AlAsヘテロ界面における遷移領域の評価〔英文〕 (機能エレクトロニクス研究センタ-)
- (311)A GaAs/AlAsヘテロ界面のバンド不連続量の人工的制御
- 半導体ヘテロ界面におけるバンド不連続の人為的制御 (RGOE(界面原子操作の基礎と応用))
- ZnSe 原子層と P 原子層を挿入した GaAs/AlAs 界面の電子状態とバンド不連続量
- 半導体結合2重量子井戸構造におけるコヒーレント電子波伝導
- 半導体結合2重量子井戸構造におけるコヒーレント電子波伝導
- 退潮は自然の流れ : もうもとには戻らない (物性デバイス研究者からみた電子情報通信学会-3)
- 理学と工学
- 化合物半導体研究開発におけるブレークスルー
- "素機能"の概念と半導体への応用
- 集束イオンビ-ム注入を用いた1次元GaAs細線の作製 (量子効果デバイスのための微細プロセス技術(技術ノ-ト))
- 電子線照射された酸素ドープGaAsの深い準位の特性 : 無機材料
- MOCVD GaAs中の深い不純物準位 : 格子欠陥
- 研究の質 : そのクライテリアとマネジメント
- マイクロ波帯の半導体デバイス : GaAsショットキーゲート電界効果トランジスタ
- 特集1 : 研究解説 : メソスコピックエレクトロニクスの展望
- 特集15 : 研究解説 : 2重量子井戸構造を用いた電子波方向性結合形スイッチの提案と試作
- 2重量子井戸構造を用いた方向性結合型電子波スイッチ (機能エレクトロニクス研究センタ-)
- スパッタ法で作成した酸化イリジウム膜のEC特性
- 2p-D4-7 集束イオンビーム注入法によるGaAs量子細線の作製とその伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
- 2p-D4-7 集束イオンビーム注入法によるGaAs量子細線の作製とその伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)