ZnSe 原子層と P 原子層を挿入した GaAs/AlAs 界面の電子状態とバンド不連続量
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概要
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ZnSe原子層とP原子層を挿入した(100)GaAs/AlAsヘテロ界面の価電子帯バンド不連続量ΔE_vを、自己無撞着なsp^3s*強結合法で理論計算した。挿入層のないGaAs/AlAs界面ではΔE_v=0.51eV であるのに対して、(ZnSe)_<0.5>層を挿入した界面ではΔE_v=1.70eV (As面終端GaAs)、-0.82eV (Ga面終端GaAs)の結果が得られた。AFのの変化量は、それぞれ、+1.19eVと-1.33eVで、ZnSe原子層の挿入によりΔE_vの人工的制御が可能であることが明らかになった。P単原子層を挿入した界面ではΔE_v=0.47eVで、ΔE_vは0.04eVだけ減少する。P原子層を挟む結合(Ga-P-Al)の非対称性によりΔE_vがわずかに変化していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-24
著者
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