GaAs(311)上のInAs超薄膜の電子構造
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概要
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GaAs(311)基板上のInAs単原子層の電子構造を、半経験的なsp^3s^*強結合法を用いて理論計算した。計算のモデルとして(InAs)_1/(GaAs)_n[311]超格子(n=10〜26)を用いて、(311)-InAs単原子層がGaAs禁制帯中に作るエネルギー準位を求め、光学的性質との関連を調べた。その結果、(311)InAs単原子層は、GaAs禁制帯中に電子準位(伝導帯端直下)と正孔準位(価電子帯端直上)を形成することが明らかになった。電子準位-正孔準位間のエネルギー間隔E_<e-h>は、GaAs禁制帯幅E_gよりも0.06eV(n=10)と0.03eV(n=26)小さくなり、観測されたフォトルミネッセンス[M. I. Alonso et al.: Phys. Rev. B50, 1628 (1994)]の起源となる。また、電子及び正孔準位の波動関数は、InAs単原子層付近に弱く局在している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
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