(311)A GaAs/AlAsヘテロ界面のバンド不連続量の人工的制御
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概要
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(311)A GaAs上の結晶成長では、ドープされたSiは成長条件によりドナーにもアクセプターにも成り得るので、(311)A GaAs, AlAsヘテロ界面にSi原子を挿入して界面双極子を形成し、バンド不連続量△E_vを制御することの可能性が考えられる。本研究では、自己無撞着な強結合法を用いて、Si原子層を挿入した(311)AGaAs/AlAs界面の△E_vを理論計算し、△E_v制御の可能性を検討した。まずSi挿入層がない場合、(311)A界面の△E_vは0.50eVで、(100)と(110)界面の△E_vとほぼ等しく、△E_vは高指数面でも面方位に依存しないことが確認された。次に、Si2原子層を(311)A界面に挿入した場合、△E_vは-0.12eV(As面終端)と1.67eV(Ga面終端)になり、それぞれ、変化量が-0.62eVと+1.17eVの△E_v制御が可能であることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
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