III-V族半導体 (GaAs) 中の点欠陥と物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Physical properties of point defects in III-V semiconductors, especially in GaAs, are discussed in view of their significant roles in device characteristics. As a representative, recent advances in the identification of EL 2, which is one of the most intensively studied point defects, are reviewed in conjunction with an antisite arsenic. The results, both experimental and theoretical, favor the models in which EL 2 is claimed to be originated from a complex or an arsenic-aggregate including antisite arsenic (s) . Such a defect is conceived as one of the defect structures of excess arsenics which are specific for compound semiconductors. [J. Cryst. Soc. Jpn. <B>28</B>, <I>103</I> (1986) ] .
- 日本結晶学会の論文
著者
関連論文
- 電子線超音波顕微鏡像の画像処理
- P-13 電子線超音波顕微鏡(EAM)とその応用(ポスター・セッション)
- 企業経営と研究開発 (生研公開)
- 生産技術研究所50周年に寄せて (50周年誌)
- 学問の多様性と大学 (工学の変容-2-多様性と科学技術)
- 2重量子井戸構造を用いた電子波方向性結合形スイッチの提案と試作 (量子固体エレクトロニクス)
- メソスコピックエレクトロニクスの展望 (量子固体エレクトロニクス)
- 工学における基礎研究と〔東京大学〕生産技術研究所の役割 (新しい工学の基礎)
- 大学における工学研究 (都市・社会とあたらしい工学研究)
- 調査報告 : マサッチュセッツ工科大学（MIT）における産学協同体制について : 生研における産学協同の一考察
- 特集11 : 研究速報 : AIGaAs可視DHレーザ中の深い準位 : DXセンタの可飽和吸収特性の検討
- 28p-C-11 GaAs/Al_xGa_As超格子の角度依存磁気抵抗振動
- 工学における基礎研究と大学の役割--トランスディシプリナリな学問領域の確立 (90年代の科学技術政策--基礎研究と国際化)
- 3-V族半導体(GaAs)中の点欠陥と物性 (結晶工学)
- AlxGa1-xSbの液相エピタキシャル成長
- AlGaSbの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー(LPE)
- ディジタル画像処理による発光ダイオード中の結晶欠陥の動きの解析
- 特集11 : 酸化亜鉛パリスタの基本特性と性能評価
- 特集10 : ZnO 半導体の基礎的物性
- InAs原子層を挿入したGaAs/AlAs界面の電子状態とバンド不連続量
- 半導体ヘテロ界面のバンド不連続量の測定とその制御
- XPS法によるGaAs/AlAsヘテロ界面における遷移領域の評価〔英文〕 (機能エレクトロニクス研究センタ-)
- (311)A GaAs/AlAsヘテロ界面のバンド不連続量の人工的制御
- 半導体ヘテロ界面におけるバンド不連続の人為的制御 (RGOE(界面原子操作の基礎と応用))
- ZnSe 原子層と P 原子層を挿入した GaAs/AlAs 界面の電子状態とバンド不連続量
- 分子線エピタキシャル成長Siドープ(311)AGaAsの伝導型遷移
- 半導体結合2重量子井戸構造におけるコヒーレント電子波伝導
- 半導体結合2重量子井戸構造におけるコヒーレント電子波伝導
- 退潮は自然の流れ : もうもとには戻らない (物性デバイス研究者からみた電子情報通信学会-3)
- 理学と工学
- 化合物半導体研究開発におけるブレークスルー
- 29p-C-4 高分解能電子線エネルギー損失分光を用いた半導体表面振動励起電子構造の解明
- "素機能"の概念と半導体への応用
- 集束イオンビ-ム注入を用いた1次元GaAs細線の作製 (量子効果デバイスのための微細プロセス技術(技術ノ-ト))
- キャパシタンス法による測定とその解釈に対するコメント (GaAs中の深い準位EL2をめぐって)
- WO3エレクトロクロミックセルの着色過程に対する等価回路的考察-2-交流電圧に対する光応答特性
- GaAs中の主要電子トラップ(EL2)
- WO3エレクトロクロミックセルの着色過程に対する等価回路的考察-1-インピ-ダンス特性
- 精密化光DLTS法による深い準位の検出 (半導体中の深い準位の光による検出法(技術ノ-ト))
- 化合物半導体エピタキシャル層の評価 (結晶工学)
- 電子線超音波顕微鏡--半導体評価への応用 (半導体-1-) -- (最新の評価技術)
- 電子線照射された酸素ドープGaAsの深い準位の特性 : 無機材料
- GaSb上へのAl_xGaSbのLPE成長と基板処理法 : エピタキシー
- MOCVD GaAs中の深い不純物準位 : 格子欠陥
- 光励起DLTS法による少数キャリヤトラップの測定
- 研究速報 : WO3薄膜のエレクトロクロミック効果
- GaAs陽極酸化とマイクロ波帯MOS電界効果トランジスタへの応用
- 米国におけるサブミクロン構造の研究--国立施設と政策について
- 研究解説 : 化合物半導体の表面不活性化技術
- GaAs,GaP中の深い不純物準位
- 半導体量子効果デバイスの展望 (3-5族半導体デバイスと集積回路)
- 超LSI材料 (新素材とキャラクタリゼ-ション)
- 固定電荷,界面準位によるMIS太陽電池の効率改善
- Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS)法によるMOS界面状態の評価法
- 特集1 : 研究解説 : メソスコピックエレクトロニクスの展望
- 特集15 : 研究解説 : 2重量子井戸構造を用いた電子波方向性結合形スイッチの提案と試作
- III-V族半導体 (GaAs) 中の点欠陥と物性
- 2重量子井戸構造を用いた方向性結合型電子波スイッチ (機能エレクトロニクス研究センタ-)