InAs原子層を挿入したGaAs/AlAs界面の電子状態とバンド不連続量
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概要
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格子歪みをもつInAs原子層を挿入した(100)GaAs/AlAsヘテロ界面のバンド不連続量ΔE_Vを、自己無撞着なsp^3s強結合法で理論計算した。計算には(GaAs)_5/(InAs)_1/(AlAs)_5/(InAs)_1[100]超格子をモデルとして用いた。その結果、GaAs/InAs(1ML)/AlAs界面ではΔE_=0,50eVで、InAs原子層のないGaAs/InAs界面のΔE_v0.51eVとほぼ等しい値が得られた。InAs原子層(1ML)を挿入することにより、GaAs/AlAs界面の微視的な価電子分布は変化するにもかかわらず、ΔE_vは変化しないことが明らかになった。また、X線光電子分布法を用いて、GaAs/InAs(IML)/AlAs界面のΔE_vの測定を行い、理論予想と一致する結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-17
著者
-
橋本 佳男
信州大学工学部
-
生駒 俊明
東大 生産技研
-
橋本 佳男
信州大学工学部電気電子工学科
-
橋本 佳男
東京大学生産技術研究所
-
生駒 俊明
東京大学生産技術研究所
-
斎藤 敏夫
東京大学国際・産学共同研究センター
-
斎藤 敏夫
東京大学生産技術研修所
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